MURS120T3G Mosfet-Leistungstransistor-Gleichrichter 200V 1A ultraschnell
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MURS120T3G Mosfet-Leistungstransistor-Gleichrichter 200V 1A ultraschnell
Eigenschaften
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Kleines kompaktes besteigbares Oberflächenpaket mit J−Bend-Führungen
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Rechteckiges Paket für die automatisierte Behandlung
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Passivierte Glaskreuzung der hohen Temperatur
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Niedriges V maximale @ 1,0 A, TJ des Vorwärtsspannungsabfall-(0,71 bis 1,05 = 150°C)
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Präfixe NRVUS und SURS8 für die Automobil- und anderen Anwendungen, die einzigartige Standort-und Steueränderungs-Anforderungen erfordern; AEC−Q101 qualifizierte und fähiges PPAP
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Diese Geräte sind Pb−Free, das Halogen Free/BFR, das frei ist und sind konformes RoHS
Mechanische Eigenschaften:
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Fall: Epoxid, geformt
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Gewicht: mg 95 (ungefähr)
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Ende: Alle korrosionsbeständigen Außenoberflächen und Terminalführungen sind bereitwillig Solderable
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Führungs-und Befestigungsflächen-Temperatur zu lötenden Zwecken: Maximum 260°C für 10 Sekunden
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Polarität: Polaritäts-Band zeigt Kathoden-Führung an
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Esd-Bewertung:
* HumanBodyModel=3B (>8kV) * MachineModel=C (>400V)
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MAXIMALLEISTUNGEN
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Bewertung |
Symbol |
MURS/SURS8/NRVUS |
Einheit |
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105T3 |
110T3 |
115T3 |
120T3 |
140T3 |
160T3 |
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Sich wiederholende HöchstSperrspannung, die Blockierspannung Höchstsperrspannung DCs bearbeitet |
VRRM VRWM VR |
50 |
100 |
150 |
200 |
400 |
600 |
V |
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Durchschnitt korrigierter Vorwärtsstrom |
WENN (HANDELS) |
1,0 @ ZEITLIMIT = 155°C 2,0 @ ZEITLIMIT = 145°C |
1,0 @ ZEITLIMIT = 150°C 2,0 @ ZEITLIMIT = 125°C |
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Non−Repetitive-Spitzen-Überspannung, (Anstieg angewendet an der Zustandshalbwelle der bewerteten Last, am einphasigen, 60 Hz) |
IFSM |
40 |
35 |
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Funktionierende Grenzschichttemperatur |
TJ |
*65 bis +175 |
°C |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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