NTMFS4833NT1G Mosfet-Leistungstransistor MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
NTMFS4833NT1G Mosfet-Leistungstransistor MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
Eigenschaften
• Niedriges RDS (an) zum von Leitungs-Verlusten herabzusetzen
• Niedrige Kapazitanz, zum des Fahrers Losses herabzusetzen
• Optimierte Tor-Gebühr, zum von zugeschalteten Verlusten herabzusetzen
• Diese sind Pb−Free-Geräte
Anwendungen
• Siehe Anwendungs-Anmerkung AND8195/D
• CPU-Energie-Lieferung
• DC−DC-Konverter
• Niedrige Seitenschaltung
MAXIMALLEISTUNGEN (TJ = 25°C wenn nicht anders festgelegt)
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Parameter |
Symbol |
Wert |
Einheit |
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Drain−to−Source-Spannung |
VDSS |
30 |
V |
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Gate−to−Source-Spannung |
VGS |
±20 |
V |
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Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges RqJA (Anmerkung 1) |
Ausgeglichene Lage |
TA = 25°C |
Identifikation |
28 |
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TA = 85°C |
20,5 |
||||
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Verlustleistung RqJA (Anmerkung 1) |
TA = 25°C |
PD |
2,7 |
W |
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Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges RqJA (Anmerkung 2) |
TA = 25°C |
Identifikation |
16 |
|
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TA = 85°C |
12 |
||||
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Verlustleistung RqJA (Anmerkung 2) |
TA = 25°C |
PD |
1,1 |
W |
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Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges RqJC (Anmerkung 1) |
TC = 25°C |
Identifikation |
191 |
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TC = 85°C |
138 |
||||
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Verlustleistung RqJC (Anmerkung 1) |
TC = 25°C |
PD |
113,6 |
W |
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Pulsierter Abfluss-Strom |
TA = 25°C, TP =10ms |
IDM |
288 |
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Funktionierende Kreuzung und Lagertemperatur |
TJ, TSTG |
−55 bis +150 |
°C |
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Quellstrom (Körper-Diode) |
IST |
104 |
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Abfluss zur Quelle dV/dt |
dV/dt |
6 |
V/ns |
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Einzelimpuls Drain−to−Source-Lawinen-Energie (TJ =25°C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 Apk, L = 1,0 mH, RG = 25 W) |
EAS |
612,5 |
mJ |
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Führungs-Temperatur zu lötenden Zwecken (1/8 ′ ′ vom Argument für 10 s) |
Zeitlimit |
260 |
°C |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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