Leistungstransistor MOSFET N-Ch Mosfet-STP55NF06 60 Volt 55 Ampere
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
18 mOhms
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
2 V
Vgs - Tor-Quellspannung:
10 V
Qg - Tor-Gebühr:
44,5 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 175 C
Höhepunkt:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Einleitung
Leistungstransistor MOSFET N-Ch Mosfet-STP55NF06 60 Volt 55 Ampere
Eigenschaften
| Bestellnummer | VDSS | Maximum RDS (an). | Identifikation |
| STB55NF06 | 60 V | < 0=""> | 50 A |
| STP55NF06 | |||
| STP55NF06FP |
1. Siehe soa für den maximalen zulässigen gegenwärtigen Wert auf FP-artigem wegen Rth-Wertes
- Lawine 100% prüfte
- Außergewöhnliche dv-/dtfähigkeit
Anwendungen
- Zugeschaltete Anwendung
Beschreibung
Diese Macht MOSFETs sind unter Verwendung STMicroelectronics einzigartigen STripFET-Prozesses entwickelt worden, der speziell entworfen ist, um Inputkapazitanz und Torvorwurf herabzusetzen. Dieses macht die Geräte passend für Gebrauch als Primärschalter in moderne Hochleistungsfähigkeit lokalisierten DC-DC-Konvertern für Telekommunikation und Computeranwendungen und die Anwendungen mit dem niedrigen Torvorwurf, der Anforderungen fährt.
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