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SS26T3G Mosfet-Leistungstransistor-Schottky-Dioden u. Gleichrichter 2A 60V

SS26T3G Mosfet-Leistungstransistor-Schottky-Dioden u. Gleichrichter 2A 60V
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Ifsm - Vorwärtsstoßstrom:
40 A
Vf - Vorwärtsspannung:
0,63 V
Vrrm - Wiederholende Sperrspannung:
60 V
Wenn - Vorwärtsstrom:
2 A
Paket/Fall:
SMB
Technologie:
Si
Höhepunkt:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Einleitung

SS26T3G Mosfet-Leistungstransistor-Schottky-Dioden u. Gleichrichter 2A 60V

Eigenschaften

  • Kompaktes Paket mit J−Bend führt Ideal für die automatisierte Behandlung

  • In hohem Grade stabiles Oxid passivierte Kreuzung

  • Guardring für Überspannungs-Schutz

  • Niedriger Vorwärtsspannungsabfall

  • NRVB-Präfix für die Automobil- und anderen Anwendungen, die einzigartige Standort-und Steueränderungs-Anforderungen erfordern; AEC−Q101 qualifiziert und PPAP Capable*

  • Pb−Free-Paket ist verfügbar

Mechanische Eigenschaften:

  • Fall: Geformter Epoxy-Kleber

  • Epoxidtreffen UL 94, V−O bei 0,125 Zoll

  • Gewicht: mg 95 (ungefähr)

  • Kathoden-Polaritäts-Band

  • Führungs-und Befestigungsflächen-Temperatur zu lötenden Zwecken:

    Maximum 260°C für 10 Sekunden

  • Verfügbar in 12 Millimeter-Band, 2500 Einheiten pro 13 ′ ′ Spule, addieren Sie Suffix „T3“

    zur Teilnummer

  • Ende: Alle Außenoberflächen korrosionsbeständig und am Ende

    Führungen sind bereitwillig Solderable

  • Esd-Bewertungen: Menschlicher Körper-Modell = 3B

    Maschinen-Modell = C

  • Markierung: SS26

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Gerät

Paket

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SS26T3G

SMB (Pb−Free)

2500 / Band u. Spule

NRVBSS26T3G*

SMB (Pb−Free)

2500 / Band u. Ree

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