STP4NK60ZFP Mosfet-Leistungstransistor MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
PD - Verlustleistung:
70 W
Konfiguration:
Einzeln
Kanal-Modus:
Verbesserung
Höhe:
9,3 Millimeter
Höhepunkt:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Einleitung
STP4NK60ZFP Mosfet-Leistungstransistor MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH
Eigenschaften
|
Bestellnummern |
VDS |
Maximum RDS (an). |
PTOT |
Identifikation |
|
STP4NK60Z |
600 V |
2Ω |
70 W |
4A |
|
STP4NK60ZFP |
-
Lawine 100% prüfte
-
Sehr niedrige tatsächliche Kapazitanzen • Zener-geschützt
Anwendungen
• Zugeschaltete Anwendungen
Beschreibung
Diese Geräte sind N-Kanal Zener-geschützte Energie MOSFETs, die unter Verwendung STMicroelectronics SuperMESHTM-Technologie entwickelt werden, erzielt durch Optimierung gut eingerichteten Streifen-ansässigen PowerMESHTM-Plans St. Zusätzlich zu einer bedeutenden Reduzierung im auf- Widerstand, ist dieses Gerät entworfen, um eine hohe Stufe von dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen.
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