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CSD17308Q3 CSD17308Q3T ultra niedriger Qg niedriger thermischer Widerstand Mosfet-Lokführer-Circuit NCh NexFET Pwr

CSD17308Q3 CSD17308Q3T ultra niedriger Qg niedriger thermischer Widerstand Mosfet-Lokführer-Circuit NCh NexFET Pwr
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Kanal-Modus:
Verbesserung
Konfiguration:
Einzeln
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur:
+ 150 C
CSD17308Q3:
3,9 nC
Vgs - Tor-Quellspannung:
8 V
Höhepunkt:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Einleitung

CSD17308Q3 CSD17308Q3T Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET

Eigenschaften 1

  • Optimiert für Antrieb des Tor-5-V
  • Ultra-niedriges Qg und Qgd

  • Niedriger thermischer Widerstand

  • Lawine veranschlagt

  • Pb-freier Terminalüberzug

  • RoHS konform

  • Halogen frei

  • VSON 3,3 Millimeter × 3,3-Millimeter-Plastikpaket

2 Anwendungen

  • Notizbuch-Punkt der Last

  • Punkt-von-Lasts-synchroner Dollar in der Vernetzung, in den Telekommunikation und in Computing-Systemen

Beschreibung 3

Dieses 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 Millimeter-× 3,3 MOSFET Energie Millimeters VSON NexFETTM ist entworfen, um Verluste in den Energieaufbereitungsanwendungen herabzusetzen und optimiert für Antriebsanwendungen des Tors 5-V.

Produkt-Zusammenfassung

TA = 25°C

WERT

EINHEIT

VDS

Abfluss-zu-Quellspannung

30

V

Qg

Torgebührensumme (4,5 V)

3,9

nC

Qgd

Torgebührentor zum abzulassen

0,8

nC

RDS (an)

Abfluss-zu-Quelle auf Widerstand

VGS = 3 V

12,5

VGS = 4,5 V

9,4

VGS = 8 V

8,2

VGS (Th)

Schwellenspannung

1,3

V

Einrichtungs-Informationen

GERÄT

Menge

MEDIEN

PAKET

SCHIFF

CSD17308Q3

2500

13 Zoll Spule

SOHN 3,3 Millimeter × 3,3-Millimeter-Plastikpaket

Band und Spule

Absolute Maximalleistungen

TA = 25°C wenn nicht anders festgelegt

WERT

EINHEIT

VDS

Abfluss-zu-Quellspannung

30

V

VGS

Tor-zu-Quellspannung

+10/– 8

V

Identifikation

Ununterbrochener Abfluss-Strom (Package Limited)

50

Ununterbrochener Abflussstrom, TC = 25°C

44

Ununterbrochener Abflussstrom (1)

14

IDM

Pulsierter Abflussstrom, TA = 25°C (2)

167

PD

Verlustleistung (1)

2,7

W

Verlustleistung, TC = 25°C

28

TJ, Tstg

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich

– 55 bis 150

°C

EAS

Lawinenenergie, Einzelimpuls Identifikation =36A, L=0.1mH, RG =25Ω

65

mJ

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