Leistungstransistor-Uhr MOSFET N-CH Mosfet-CSD13202Q2 MOSFET 12V 9.3mohm Energie

mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Leistungstransistor-Uhr MOSFET N-CH Mosfet-CSD13202Q2 MOSFET 12V 9.3mohm Energie
Eigenschaften 1
- Ultra-niedriges Qg und Qgd
-
Niedriger thermischer Widerstand
-
Lawine veranschlagt
-
Bleifreier Terminalüberzug
-
RoHS konform
-
Halogen frei
-
SOHN 2 Millimeter × 2-Millimeter-Plastikpaket
2 Anwendungen
-
Optimiert für Lasts-Schalter-Anwendungen
-
Lagerung, Tablets und Handgeräte
-
Optimiert für Steuer-FET-Anwendungen
-
Punkt der Last synchroner Buck Converters
Beschreibung 3
Dieses 12-V, 7,5 mΩ NexFETTM-Energie MOSFET ist entworfen worden, um Verluste in den Energieaufbereitungs- und Lastsmanagementanwendungen herabzusetzen. Die SOHN 2 × 2 ausgezeichnete thermische Leistung Angebote für die Größe des Pakets.
Produkt-Zusammenfassung
TA = 25°C |
TYPISCHES VAUE |
EINHEIT |
||
VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
12 |
V |
|
Qg |
Tor-Gebührensumme (4,5 V) |
5,1 |
nC |
|
Qgd |
Tor-Gebührentor-zu-abfluß |
0,76 |
nC |
|
RDS (an) |
Abfluss-zu-Quellauf-widerstand |
VGS = 2,5 V |
9,1 |
mΩ |
VGS = 4,5 V |
7,5 |
|||
VGS (Th) |
Schwellen-Spannung |
0,8 |
V |
Gerät-Informationen
GERÄT |
MEDIEN |
Menge |
PAKET |
SCHIFF |
CSD13202Q2 |
7 Zoll Spule |
3000 |
SOHN 2,00 Millimeter × 2,00-Millimeter-Plastikpaket |
Band und Spule |
Absolute Maximalleistungen
TA = 25°C |
WERT |
EINHEIT |
|
VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
12 |
V |
VGS |
Tor-zu-Quellspannung |
±8 |
V |
Identifikation |
Ununterbrochener Abfluss-Strom (Paket-Grenze) |
22 |
|
Ununterbrochener Abfluss-Strom (1) |
14,4 |
||
IDM |
Pulsierter Abfluss-Strom, TA = 25°C (2) |
76 |
|
PD |
Verlustleistung (1) |
2,7 |
W |
TJ, TSTG |
Funktionierende Kreuzung, Lagertemperatur |
– 55 bis 150 |
°C |
EAS |
Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation =20A, L=0.1mH, RG =25Ω |
20 |
mJ |