Leistungstransistor MOSFET 30V N Mosfet-CSD17313Q2 NexFET-Energie MOSFET Kanal
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Leistungstransistor MOSFET 30V N Mosfet-CSD17313Q2 NexFET-Energie MOSFET Kanal
Eigenschaften 1
- Optimiert für Antrieb des Tor-5-V
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Ultra-niedriges Qg und Qgd
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Niedriger thermischer Widerstand
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Pb-frei
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RoHS konform
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Halogen-frei
-
SOHN 2 Millimeter × 2-Millimeter-Plastikpaket
2 Anwendungen
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DC-DC Konverter
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Batterie-und Lasts-Management-Anwendungen
Beschreibung 3
Dieses 30-V, 24 mΩ, 2 Millimeter x 2 Millimeter-SOHN NexFETTM-Energie MOSFET ist entworfen, um Verluste in den Energieaufbereitungsanwendungen herabzusetzen und optimiert für Antriebsanwendungen des Tors 5-V. Das 2 Millimeter-× 2 Millimeter-SOHN bietet ausgezeichnete thermische Leistung für die Größe des Pakets an.
Produkt-Zusammenfassung
(1) für alle verfügbaren Pakete, sehen Sie das bestellbare addendum am Ende des Leistungsblatts.
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TA = 25°C |
TYPISCHER WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
30 |
V |
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Qg |
Tor-Gebührensumme (4,5 V) |
2,1 |
nC |
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Qgd |
Tor-Gebührentor-zu-abfluß |
0,4 |
nC |
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RDS (an) |
Abfluss-zu-Quelle auf Widerstand |
VGS = 3 V |
31 |
mΩ |
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VGS = 4,5 V |
26 |
mΩ |
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VGS = 8 V |
24 |
mΩ |
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VGS (Th) |
Schwellen-Spannung |
1,3 |
V |
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Einrichtungs-Informationen
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TEILNUMMER |
Menge |
MEDIEN |
PAKET |
SCHIFF |
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CSD17313Q2 |
3000 |
13 Zoll Spule |
SOHN 2 Millimeter × 2-Millimeter-Plastikpaket |
Band und Spule |
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CSD17313Q2T |
250 |
7 Zoll Spule |
Absolute Maximalleistungen
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TA = 25°C |
WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
30 |
V |
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VGS |
Tor-zu-Quellspannung |
+10/– 8 |
V |
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Identifikation |
Ununterbrochener Abfluss-Strom (Paket begrenzt) |
5 |
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Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silikon begrenzt), TC = 25°C |
19 |
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Ununterbrochener Abfluss-Strom (1) |
7,3 |
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IDM |
Pulsierter Abfluss-Strom, TA = 25°C (2) |
57 |
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PD |
Verlustleistung (1) |
2,4 |
W |
|
Verlustleistung, TC = 25°C |
17 |
||
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TJ, TSTG |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich |
– 55 bis 150 |
°C |
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EAS |
Lawinen-Energie, Einzelimpuls, Identifikation =19A, L=0.1mH, RG =25Ω |
18 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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