MOSFETs Energie CSD17556Q5B Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 30V N-Ch NexFET
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFETs Energie CSD17556Q5B Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 30V N-Ch NexFET
Eigenschaften 1
- Extrem - niedriger Widerstand
-
Ultra-niedriges Qg und Qgd
-
Niedrig-thermischer Widerstand
-
Lawine veranschlagt
-
Bleifreier Terminalüberzug
-
RoHS konform
-
Halogen frei
-
SOHN 5 Millimeter × 6-Millimeter-Plastikpaket
2 Anwendungen
-
Punkt des Lasts-synchronen Dollars in der Vernetzung, in den Telekommunikation und in Computing-Systemen
-
Synchrone Korrektur
-
Aktive O-Ring und Hotswap-Anwendungen
Beschreibung 3
Dieses 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET Energie 5 Millimeter-× 6 Millimeter NexFETTM ist entworfen, um Verluste in der synchronen Korrektur und in anderen Energieaufbereitungsanwendungen herabzusetzen.
Produkt-Zusammenfassung
|
TA = 25°C |
TYPISCHER WERT |
EINHEIT |
||
|
VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
30 |
V |
|
|
Qg |
Tor-Gebührensumme (4,5 V) |
30 |
nC |
|
|
Qgd |
Tor-Gebührentor-zu-abfluß |
7,5 |
nC |
|
|
RDS (an) |
Abfluss-zu-Quellauf-widerstand |
VGS = 4,5 V |
1,5 |
mΩ |
|
VGS =10V |
1,2 |
|||
|
VGS (Th) |
Schwellen-Spannung |
1,4 |
V |
|
Gerät-Informationen
|
GERÄT |
Menge |
MEDIEN |
PAKET |
SCHIFF |
|
CSD17556Q5B |
2500 |
13 Zoll Spule |
SOHN 5,00 Millimeter × 6,00-Millimeter-Plastikpaket |
Band und Spule |
|
CSD17556Q5BT |
250 |
Absolute Maximalleistungen
|
TA = 25°C |
WERT |
EINHEIT |
|
|
VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
30 |
V |
|
VGS |
Tor-zu-Quellspannung |
±20 |
V |
|
Identifikation |
Ununterbrochener Abfluss-Strom (Package Limited) |
100 |
|
|
Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silicon Limited), TC = 25°C |
215 |
||
|
Ununterbrochener Abfluss-Strom (1) |
34 |
||
|
IDM |
Pulsierter Abfluss-Strom, TA = 25°C (1) (2) |
400 |
|
|
PD |
Verlustleistung (1) |
3,1 |
W |
|
Verlustleistung, TC = 25°C |
191 |
||
|
TJ, Tstg |
Funktionierende Kreuzung, Lagertemperatur |
– 55 bis 150 |
°C |
|
EAS |
Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation =100A, L=0.1mH, RG =25Ω |
500 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|