Leistungstransistor MOSFET MOSFET 30V, N-Kanal NexFET Pwr MOSFET Mosfet-CSD17575Q3
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Leistungstransistor MOSFET MOSFET 30V, N-Kanal NexFET Pwr MOSFET Mosfet-CSD17575Q3
Eigenschaften 1
- Niedriges Qg und Qgd
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Niedriges RDS (an)
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Niedriger thermischer Widerstand
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Lawine veranschlagt
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Pb-freier Terminalüberzug
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RoHS konform
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Halogen frei
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SOHN 3,3 Millimeter × 3,3-Millimeter-Plastikpaket
2 Anwendungen
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Punkt der Last synchroner Buck Converter für Anwendungen in der Vernetzung, in den Telekommunikation und in Computing-Systemen
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Optimiert für synchrone FET-Anwendungen
Beschreibung 3
Dieses 1,9 mΩ, 30 V, MOSFET Energie des SOHNS 3×3 NexFETTM ist entworfen, um Verluste in den Energieaufbereitungsanwendungen herabzusetzen.
Produkt-Zusammenfassung
| TA = 25°C | TYPISCHER WERT | EINHEIT | ||
| VDS | Abfluss-zu-Quellspannung | 30 | V | |
| Qg | Tor-Gebührensumme (4.5V) | 23 | nC | |
| Qgd | Tor-Gebührentor-zu-abfluß | 5,4 | nC | |
| RDS (an) | Abfluss-zu-Quellauf- Widerstand | VGS = 4,5 V | 2,6 | mΩ |
| VGS =10V | 1,9 | |||
| Vth | Schwellen-Spannung | 1,4 |
V |
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Einrichtungs-Informationen
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Gerät |
Medien |
Menge |
Paket |
Schiff |
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CSD17575Q3 |
13 Zoll Spule |
2500 |
SOHN 3,3 × 3,3-Millimeter-Plastikpaket |
Band und Spule |
|
CSD17575Q3T |
13 Zoll Spule |
250 |
Absolute Maximalleistungen
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TA = 25°C |
WERT |
EINHEIT |
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VDS |
Abfluss-zu-Quellspannung |
30 |
V |
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VGS |
Tor-zu-Quellspannung |
±20 |
V |
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Identifikation |
Ununterbrochener Abfluss-Strom (Paket-Grenze) |
60 |
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Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silikon-Grenze), TC = 25°C |
182 |
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Ununterbrochener Abfluss-Strom (1) |
27 |
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IDM |
Pulsierter Abfluss-Strom (2) |
240 |
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PD |
Verlustleistung (1) |
2,8 |
W |
|
Verlustleistung, TC = 25°C |
108 |
||
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TJ, Tstg |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich |
– 55 bis 150 |
°C |
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EAS |
Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation =48, L=0.1mH, RG =25Ω |
115 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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