Nachricht senden
Haus > produits > Flash-Speicher IC-Chip > NexFET-Energie MOSFET N-Kanal CSD18501Q5A Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 40V

NexFET-Energie MOSFET N-Kanal CSD18501Q5A Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 40V

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 40 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 150W (Tc) Berg 8-VSONP (5x6) der Oberflächen-
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Contact us
Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Verpacken:
Schneiden Sie Band
Höhe:
1 Millimeter
Transistor-Art:
1 N-Kanal
Breite:
4,9 Millimeter
Marke:
Texas Instruments
Vorwärtstransconductance - Minute:
118 S
Höhepunkt:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Einleitung

NexFET-Energie MOSFET N-Kanal CSD18501Q5A Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 40V

Eigenschaften 1

  • Ultra niedriges Qg und Qgd
  • Niedriger thermischer Widerstand

  • Lawine veranschlagt

  • Logischer Zustand

  • Pb-freier Terminalüberzug

  • RoHS konform

  • Halogen frei

  • SOHN 5 Millimeter × 6-Millimeter-Plastikpaket

2 Anwendungen

  • DC-DC Umwandlung

  • Sekundärsynchroner Seitengleichrichter

  • Batterie-Motorsteuerung

Beschreibung 3

Dieses 40 V, 2,5 mΩ, SOHN 5 × 6 MOSFET Energie Millimeters NexFETTM ist entworfen worden, um Verluste in den Energieaufbereitungsanwendungen herabzusetzen.

Produkt-Zusammenfassung

TA = 25°C

TYPISCHER WERT

EINHEIT

VDS

Abfluss-zu-Quellspannung

40

V

Qg

Tor-Gebührensumme (4,5 V)

20

nC

Qgd

Tor-Gebührentor-zu-abfluß

5,9

nC

RDS (an)

Abfluss-zu-Quellauf-widerstand

VGS = 4,5 V

3,3

VGS =10V

2,5

VGS (Th)

Schwellen-Spannung

1,8

V

Einrichtungs-Informationen (1)

Gerät

Menge

Medien

Paket

Schiff

CSD18501Q5A

2500

13 Zoll Spule

SOHN 5 Millimeter × 6-Millimeter-Plastikpaket

Band und Spule

CSD18501Q5AT

250

7 Zoll Spule

Absolute Maximalleistungen

TA = 25°C

WERT

EINHEIT

VDS

Abfluss-zu-Quellspannung

40

V

VGS

Tor-zu-Quellspannung

±20

V

Identifikation

Ununterbrochener Abfluss-Strom (Paket begrenzt)

100

Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silikon begrenzt), TC = 25°C

161

Ununterbrochener Abfluss-Strom (1)

22

IDM

Pulsierter Abfluss-Strom (2)

400

PD

Verlustleistung (1)

3,1

W

Verlustleistung, TC = 25°C

150

TJ, Tstg

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich

– 55 bis 150

°C

EAS

Lawinen-Energie, Einzelimpuls Identifikation =68A, L=0.1mH, RG =25Ω

231

mJ

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
Contact us