LM36922HYFFR Mosfet-Leistungstransistor LED, der Fahrer-Hintergrundbeleuchtung mit einem Inverter beleuchtet
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
LM36922HYFFR Mosfet-Leistungstransistor LED, der Fahrer-Hintergrundbeleuchtung mit einem Inverter beleuchtet
Eigenschaften 1
- 1% brachte gegenwärtige Wannen über Prozess, Spannung, Temperatur zusammen
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3% Gegenwärtig-Wannen-Genauigkeit über Prozess, Spannung, Temperatur
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11-Stückchen, das Entschließung verdunkelt
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Bis 90% Lösungs-Leistungsfähigkeit
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Antriebe von einem bis zwei parallele LED-Schnüre an bis 38 V bei 25 MA pro Schnur
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PWM, das Input verdunkelt
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I2C programmierbar
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Auswählbare Schaltfrequenz 500-kHz und 1-MHz mit optionalem – 12% Verschiebung
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Selbstschalter-Frequenz-Modus (250 kHz, 500 kHz, 1 MHZ)
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Vier konfigurierbare Überspannungs-Schutz-Schwellen (17 V, 24 V, 31 V, 38 V)
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Vier konfigurierbare Überstrom-Schutz-Schwellen (750 MA, 1000 MA, 1250 MA, 1500 MA)
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Thermischer Abschaltungs-Schutz
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Außen auswählbare I2C-Adreßwahlen über ASEL-Input
2 Anwendungen
• Energiequelle für intelligenten Telefon und Tablet Backlighting
Beschreibung 3
Das LM36922H ist ein ultra-kompaktes, in hohem Grade leistungsfähig, der weiß-GEFÜHRTE Fahrer der Zweischnur, der für LCD-Anzeige Backlighting bestimmt ist. Das Gerät kann bis 12 Reihe LED an bis 25 MA pro Schnur antreiben. Eine anpassungsfähige gegenwärtige vorgeschriebene Methode lässt verschiedene LED-Spannungen in jeder Schnur beim Beibehalten der gegenwärtigen Regelung zu.
Der LED-Strom wird über eine I2C-Schnittstelle oder durch einen Input des logischen Zustandes PWM justiert. Der PWM-Arbeitszyklus wird innerlich zu einem 11 gebissenen Strom abgefragt und aufgezeichnet, der folglich eine breite Palette von PWM-Frequenzen mit lärmfreier Operation von μA 50 zu 25 MA zulässt.
Andere Eigenschaften umfassen einen Selbst-frequenzmodus, der die Frequenz automatisch ändern kann, die auf der Last basiert, die, um Leistungsfähigkeit zu optimieren gegenwärtig ist.
Das Gerät funktioniert über dem 2.5-V zum Eingangsspannungsbereich 5.5-V und einem – 40°C zur +85°C-Temperaturspanne.
Gerät-Informationen
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TEILNUMMER |
PAKET |
KÖRPER-GRÖSSE (MAX) |
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LM36922H |
DSBGA (12) |
1,756 Millimeter × 1,355 Millimeter |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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