Gab nichtisolierter DC/DC Umb. der LMZ31520RLGT Mosfet-Leistungstransistor-Konverter-20A Pwr mit 3.0V-14.5V ein
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Gab nichtisolierter DC/DC Umb. der LMZ31520RLGT Mosfet-Leistungstransistor-Konverter-20A Pwr mit 3.0V-14.5V ein
Eigenschaften 1
- Komplette integrierte Energie-Lösung; Kleiner als ein getrennter Entwurf
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15mm×16mm×5.8mmPackageSize - Pin Compatible mit LMZ31530
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Ultraschnelle Lasts-Sprungantwort
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Leistungsfähigkeit bis 96%
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Breit-Ertrag-Spannung justieren
0,6 V bis 3,6 V, mit 1% Bezugsgenauigkeit -
Optionale aufgeteilte Fahrleitungen erlaubt Eingangsspannung unten zu 3 V
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Auswählbare Schaltfrequenz (300 kHz bis 850 kHz)
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Auswählbarer Langsam-Anfang
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Justierbare Überstrom-Grenze
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Energie-guter Ertrag
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Ausgangsspannungs-Der Reihe nach ordnen
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Über Temperatur-Schutz
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Vor-Neigung Ertrag-Start
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Betriebstemperaturbereich: – 40°C zu 85°C
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Erhöhte thermische Leistung: 8.6°C/W
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Emissionen der Treffen-EN55022 der Klassen-A - integrierter abgeschirmter Induktor
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Schaffen Sie kundenspezifisch anfertigen unter Verwendung des LMZ31520 mit dem WEBENCH®-Energie-Designer
2 Anwendungen
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Breitband-und Kommunikations-Infrastruktur
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DSP- und FPGA-Punkt von Lasteinleitungen
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Stromnetze mit hoher Dichte
Beschreibung 3
Das Modul der Energie LMZ31520 ist eine bedienungsfreundliche integrierte Energielösung, die ein DDC 20-A mit Energie MOSFETs, einem abgeschirmten Induktor und passiven in eine Zurückhaltung kombiniert, QFN-Paket. Diese Gesamtleistungslösung erlaubt nur drei externe Komponenten und beseitigt das Schleife Ausgleichs- und MagneticsteilAuswahlverfahren.
Das Paket 15×16×5.8 Millimeter QFN ist einfach, auf eine Leiterplatte zu löten und erlaubt einen kompakten Punkt-vonlastsentwurf. Erzielt größer, als 95% Leistungsfähigkeit, ultraschnelle LastsSprungantwort und ausgezeichnete Verlustleistungsfähigkeit mit einem thermischen Widerstand von 8.6°C/W. hat. Das LMZ31520 bietet die Flexibilität und den Eigenschaftsatz eines getrennten Entwurfs Punktvon load an und ist für das Antreiben einer breiten Palette von IC und von Systemen ideal. Moderne Verpackungstechnik leistet sich eine robuste und zuverlässige Energielösung, die mit Standard-QFN-Montage- und -prüfungstechniken kompatibel ist.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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