LMZ31707RVQR LMZ31707RVQT LMZ31710RVQR LMZ31710RVQT nichtisolierte DC/DC Konverter 7A Mosfet-Leistungstransistor-
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
LMZ31707RVQR LMZ31707RVQT LMZ31710RVQR LMZ31710RVQT nichtisolierte DC/DC Konverter 7A Mosfet-Leistungstransistor-
Eigenschaften 1
- Komplette integrierte Energielösung erlaubt kleinen Abdruck, flachen Entwurf
• 10mm×10mm×4.3mmpackage
– Pin kompatibel mit LMZ31710 und LMZ31704
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Leistungsfähigkeit bis 95%
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Öko--modeTM/helle Lasts-Leistungsfähigkeit (LLE)
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Breit-Ertragspannung justieren
0,6 V bis 5,5 V, mit 1% Bezugsgenauigkeit -
Stützt parallele Operation für höheren Strom
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Optionale aufgeteilte Fahrleitung erlaubt Eingangsspannung unten zu 2,95 V
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Justierbare Schaltfrequenz (200 kHz bis 1,2 MHZ)
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Synchronisiert zu einer externen Uhr
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Stellt phasenverschobenes Taktsignal 180° zur Verfügung
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Justierbarer langsamer Anfang
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Ausgangsspannungsder reihe nach ordnen/aufspürend
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Guter Ertrag der Energie
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Programmierbare Undervoltageaussperrung (UVLO)
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Überstrom und Übertemperaturschutz
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Vor-Neigungsertragstart
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Betriebstemperaturbereich: – 40°C zu +85°C
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Erhöhte thermische Leistung: 13.3°C/W
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Emissionen der Klasse B der Treffen-EN55022
– Integrierter abgeschirmter Induktor
2 Anwendungen
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Breitband- und Kommunikationsinfrastruktur
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Automatisierter Test und medizinische Ausrüstung
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Vertrag PCI/PCI ausdrücklich/PXI ausdrücklich
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DSP- und FPGA-Punkt-vonlastsanwendungen
Beschreibung 3
Das EINFACHE SWITCHER® Energiemodul LMZ31707 ist eine bedienungsfreundliche integrierte Energielösung, die ein DDC 7-A mit Energie MOSFETs, einem abgeschirmten Induktor und passiven in eine Zurückhaltung kombiniert, QFN-Paket. Diese Gesamtleistungslösung erlaubt nur drei externe Komponenten und beseitigt das Schleife Ausgleichs- und MagneticsteilAuswahlverfahren.
Das 10 × 10 × 4,3 Paket Millimeters QFN ist einfach, auf eine Leiterplatte zu löten und erlaubt einen kompakten Punkt-vonlastsentwurf. Erzielt größer als 95% Leistungsfähigkeit und ausgezeichnete Verlustleistungsfähigkeit mit einem thermischen Widerstand von 13.3°C/W. Das LMZ31707 bietet die Flexibilität und den Eigenschaftsatz eines getrennten Punkt-vonlastsentwurfs an und ist für das Antreiben einer breiten Palette von IC und von Systemen ideal. Moderne Verpackungstechnik leistet sich eine robuste und zuverlässige Energielösung, die mit Standard-QFN-Montage- und -prüfungstechniken kompatibel ist.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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