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Leistungstransistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 Mosfet-SI4425DDY-T1-GE3

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
P-Kanal 30 V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), Berg 8-SOIC der Oberflächen-5.7W (Tc)
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
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Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Hersteller:
VISHAY
Produkt-Kategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Befestigung von Art:
SMD/SMT
Paket/Fall:
SO-8
Zahl von Kanälen:
1 Kanal
Höhepunkt:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Einleitung

Leistungstransistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 Mosfet-SI4425DDY-T1-GE3

EIGENSCHAFTEN

  • Halogen-frei entsprechend Definition Iecs 61249-2-21
  • TrenchFET®-Energie MOSFET

  • 100% Rg geprüft

ANWENDUNGEN

•Lasts-Schalter

- Notizbuch-PC

- Tischplattenpc

PRODUKT-ZUSAMMENFASSUNG

VDS (V)

RDS (an) (Ω)

Identifikation (A) a

Qg (Art.)

- 30

0,0098 an VGS = 10 V

- 19,7

27 nC

0,0165 an VGS = 4,5 V

- 15,2

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN TA = °C 25, wenn nicht anders vermerkt

Parameter

Symbol

Grenze

Einheit

Abfluss-Quellspannung

VDS

- 30

V

Tor-Quellspannung

VGS

± 20

Ununterbrochener Abfluss-Strom (TJ = °C) 150

TC =25°C

Identifikation

- 19,7

TC =70°C

- 15,7

TA = °C 25

- 13b, c

TA = °C 70

- 10.4b, c

Pulsierter Abfluss-Strom

IDM

- 50

Ununterbrochener Quelle-Abfluss-Diodenstrom

TC =25°C

IST

- 4,7

TA = °C 25

- 2.1b, c

Höchstleistungs-Ableitung

TC =25°C

PD

5,7

W

TC =70°C

3,6

TA = °C 25

2.5b, c

TA = °C 70

1.6b, c

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich

TJ, Tstg

- 55 bis 150

°C

THERMISCHER WIDERSTAND-BEWERTUNGEN

Parameter

Symbol

Typisch

Maximum

Einheit

Maximal Kreuzung-zu-Ambientb, d

t-≤ 10 s

RthJA

35

50

°C/W

Maximaler Kreuzung-zu-Fuß (Abfluss)

Ausgeglichene Lage

RthJF

18

22

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