Nachricht senden
Haus > produits > Flash-Speicher IC-Chip > Leistungstransistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Mosfet-SI7139DP-T1-GE3

Leistungstransistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Mosfet-SI7139DP-T1-GE3

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Contact us
Zahlungs-Methode:
Paypal, Western Union, TT
Spezifikationen
Stückgewicht:
0,017870 Unze
Teil # angenommener Name:
SI7139DP-GE3
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit:
17 ns
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit:
56 ns
Unterkategorie:
MOSFETs
Anstiegszeit:
12 ns
Höhepunkt:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Einleitung

Leistungstransistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Mosfet-SI7139DP-T1-GE3

EIGENSCHAFTEN

  • TrenchFET®-Energie MOSFET

  • 100% Rg und UIS prüfte

• Materielle Kategorisierung:

ANWENDUNGEN

• Notebook

- Adapterschalter
- Batterieschalter
- Lastsschalter

PRODUKT-ZUSAMMENFASSUNG

VDS (V)

RDS (an) ()

Identifikation (a)

Qg (ART.)

-30

0,0055 an VGS = -10 V

-40 d

49,5 nC

0,0090 an VGS = -4,5 V

-40 d

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TA = °C 25, wenn nicht anders vermerkt)

PARAMETER

SYMBOL

GRENZE

EINHEIT

Abfluss-Quellspannung

VDS

-30

V

Tor-Quellspannung

VGS

± 20

Ununterbrochener Abfluss-Strom (TJ = °C) 150

TC =25°C

Identifikation

-40 d

TC =70°C

-40 d

TA =25°C

-22,4 a, b

TA =70°C

-17,9 a, b

Pulsierter Abfluss-Strom

IDM

-70

Ununterbrochener Quelle-Abfluss-Diodenstrom

TC =25°C

IST

-40 d

TA =25°C

-4,5 a, b

Lawinen-Strom

L = 0,1 mH

IAS

30

Einzelimpuls-Lawinen-Energie

EAS

45

mJ

Höchstleistungs-Ableitung

TC =25°C

PD

48

W

TC =70°C

30

TA =25°C

5 a, b

TA =70°C

3,2 a, b

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich

TJ, Tstg

-55 bis 150

°C

Lötende Empfehlungen (Höchsttemperatur) e, f

260

THERMISCHER WIDERSTAND-BEWERTUNGEN

PARAMETER

SYMBOL

TYPISCH

MAXIMUM

EINHEIT

Maximales Kreuzung-zu-umgebendes a, c

t- 10 s

RthJA

20

25

°C/W

Maximaler Kreuzung-zu-Fall

Ausgeglichene Lage

RthJC

2,1

2,6

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
Contact us