Leistungstransistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Mosfet-SI7461DP-T1-GE3
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Leistungstransistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Mosfet-SI7461DP-T1-GE3
EIGENSCHAFTEN
- TrenchFET®-Energie MOSFETs
- Materielle Kategorisierung:
für Definitionen der Befolgung sehen Sie bitte www.vishay.com/doc?99912
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PRODUKT-ZUSAMMENFASSUNG |
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VDS (V) |
RDS (an) () |
Identifikation (a) |
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-60 |
0,0145 an VGS = -10 V |
-14,4 |
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0,0190 an VGS = -4,5 V |
-12,6 |
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ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TA = °C 25, wenn nicht anders vermerkt) |
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PARAMETER |
SYMBOL |
10 s |
AUSGEGLICHENE LAGE |
EINHEIT |
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Abfluss-Quellspannung |
VDS |
-60 |
V |
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Tor-Quellspannung |
VGS |
± 20 |
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Ununterbrochener Abfluss-Strom (TJ = 150 °C) a |
TA =25°C |
Identifikation |
-14,4 |
-8,6 |
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TA =70°C |
-11,5 |
-6,9 |
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Pulsierter Abfluss-Strom |
IDM |
-60 |
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Ununterbrochener Quellstrom (Dioden-Leitung) a |
IST |
-4,5 |
-1,6 |
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Lawinen-Strom |
L = 0,1 mH |
IAS |
50 |
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Einzelimpuls-Lawinen-Energie |
EAS |
125 |
mJ |
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Höchstleistungs-Ableitung a |
TA =25°C |
PD |
5,4 |
1,9 |
W |
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TA =70°C |
3,4 |
1,2 |
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Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich |
TJ, Tstg |
-55 bis +150 |
°C |
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Lötende Empfehlungen (Höchsttemperatur) b, c |
260 |
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THERMISCHER WIDERSTAND-BEWERTUNGEN |
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PARAMETER |
SYMBOL |
TYPISCH |
MAXIMUM |
EINHEIT |
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Maximales Kreuzung-zu-umgebendes a |
t- 10 s |
RthJA |
18 |
23 |
°C/W |
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Ausgeglichene Lage |
52 |
65 |
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Maximaler Kreuzung-zu-Fall (Abfluss) |
Ausgeglichene Lage |
RthJC |
1 |
1,3 |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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