D-RAM Flash-Speicher-Chip SOP-54 64 Mbit 143 MHZ ISSI IS42S16400J-7TLI für LCD-Monitoren
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
SDRAM-Gedächtnis IC 64Mbit entsprechen 143 MHZ 5,4 ns 54-TSOP II
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Reihe:
IC
Spannung:
3.3V
Eigenschaft:
D-RAM Speicherchip
Anwendung:
Lcd-Monitoren, Flachbildschirm Fernsehen, Drucker, GPS, MP3
Paket:
SOIC-54
Taktfrequenz:
143 MHZ
Höhepunkt:
IS42S16400J
,IS42S1
,IS42S16400J-7TLI
Einleitung
Marke IS42S16400J-7TLI D-RAM Speicherchips SOP-54 64 Mbit 143 MHZ ISSI
ALLGEMEINE BESCHREIBUNGEN
Synchrones D-RAM 64Mb ISSIS wird als 1.048.576 16-Bit-x 4 Bank der Bits x für verbesserte Leistung organisiert. Das synchrone D-RAM erzielt Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung unter Verwendung der Rohrleitungsarchitektur. Aller Input und Ausgangssignale beziehen sich die auf steigende Flanke des Takteingangs.
EIGENSCHAFTEN
• Taktfrequenz: 200, 166, 143, 133 MHZ
• Völlig synchron; alle Signale bezogen zu einer positiven Taktimpulseflanke
• Interne Bank für versteckenden Reihenzugang/-vorbelastung
• Einzelne Stromversorgung 3.3V
• LVTTL-Schnittstelle
• Programmierbare gespreCM GROUPe Länge
– (1, 2, 4, 8, Ganzseite)
• Programmierbare gespreCM GROUPe Reihenfolge: Aufeinander folgend/Überlappen
• Selbst erneuern Modi
• Auto erneuern (CBR)
• 4096 erneuern Zyklen jede Frau 64 (Grad COM, Ind, A1) oder 16ms (Grad A2)
• Gelegentliche Spaltenadresse jeder Taktzyklus
• Programmierbare CAS-Latenz (2, 3 Uhren)
• GespreCM GROUPes die gelesene/einzelne Lesen/Schreiben und Explosion schreiben Operationsfähigkeit
• Explosionsbeendigung durch gespreCM GROUPen Halt und Vorbelastungsbefehl
Überblick
Das 64Mb SDRAM ist ein Hochgeschwindigkeits-CMOS, der dynamische Direktzugriffsspeicher, der entworfen ist, um in den Systemen des Gedächtnisses zu funktionieren 3.3V, die 67.108.864 Bits enthalten. Innerlich konfiguriert als Viererkabelbank D-RAM mit einer synchronen Schnittstelle. Jede 16.777.216 gebissene Bank wird als 4.096 Reihen durch 256 Spalten durch 16 Bits organisiert. Das 64Mb SDRAM schließt ein AUTO ERNEUERN MODUS und eine Machteinsparung, Abschaltungsmodus mit ein. Alle Signale werden auf dem positiven Rand des Taktsignals, CLK registriert. Aller Input und Ertrag sind kompatible LVTTL. Das 64Mb SDRAM hat die Fähigkeit, Daten mit einer hohen Datenrate mit automatischer Spalteadreßgeneration, die Fähigkeit synchron zu sprengen, zwischen internen Banken zu verschachteln, um Vorbelastungszeit und die Fähigkeit zu den Änderungsfeldadressen auf jedem Taktzyklus während des gespreCM GROUPen Zugangs nach dem Zufall zu verstecken. Eine selbst-zeitgesteuerte Reihenvorbelastung, die am Ende des gespreCM GROUPen sequenceisavailablewiththeAUTOPRECHARGEfunction eingeleitet wurde, ermöglichte. Belasten Sie eine Bank vor, während das Zugreifen eine auf der anderen drei Banken die Vorbelastungszyklen versteckt und nahtlose, Hochgeschwindigkeits-, direkte Operation liefert. SDRAM las und Schreibzugriffe sind Explosion orientiertes Beginnen an einem vorgewählten Standort und Fortfahren für eine programmierte Anzahl von Standorten in einer programmierten Reihenfolge. Die Ausrichtung eines AKTIVEN Befehls fäCM GROUP die Zugänge an, gefolgt von einem LESEN oder SCHREIBT Befehl. Der AKTIVE Befehl in Verbindung mit den registrierten Adressbits werden verwendet, um die erreicht zu werden Bank und die Reihe vorzuwählen, (BA0, BA1 wählen die Bank vor; A0-A11 wählen die Reihe) vor. Das LESEN oder Befehle in Verbindung mit den registrierten Adressbits ZU SCHREIBEN wird benutzt, um den beginnenden Spaltenstandort für den gespreCM GROUPen Zugang vorzuwählen. Programmierbares LESEN oder SCHREIBT gespreCM GROUPe Längen besteht 1, 2, 4 und 8 Standorten oder aus Ganzseite, mit einer Explosion, Wahl zu beenden.
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