Nachricht senden
Haus > produits > Flash-Speicher IC-Chip > 5A 1 Kanal Hall Effect Current Sensor Chip, ACS712ELCTR-05 B-T Integrated Circuits u. Chips

5A 1 Kanal Hall Effect Current Sensor Chip, ACS712ELCTR-05 B-T Integrated Circuits u. Chips

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Gegenwärtiger Kanal Hall Effect, offene Schleife bidirektionales 8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite) des
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Reihe:
Gegenwärtiger Sensor-Chip
Paket:
8-SOIC
Eigenschaft:
5A 1 Kanal Hall Effect
Anwendung:
Wandler
D/C:
Nur neues u. ursprüngliches Allegro
Vorbereitungs- und Anlaufzeit:
0-3 Tage
Höhepunkt:

electronic ic chip

,

ic integrated chip

Einleitung

ACS712ELCTR-05B-T ACS712 gegenwärtige Kanal-Hall Effects 8-SOIC des Sensor-Chip-5A 1 Wandler

Völlig integrierter, Hall-Effekt-ansässiger linearer gegenwärtiger Sensor IC mit 2,1 kVRMS Isolierung und ein Niedrig-Widerstand-gegenwärtiger Leiter

Beschreibung

Das AllegroTM ACS712 liefert die wirtschaftlichen und genauen solutionsforACorDCcurrentsensinginindustrial, Handels- und Kommunikationssysteme. Das Gerätpaket lässt einfache Durchführung durch den Kunden zu. Typische Anwendungen umfassen Motorsteuerung, Lastsentdeckung und -management, Schaltermodusstromversorgung und Überstromstörungsschutz. Das Gerät ist nicht für Automobilanwendungen bestimmt.

Das Gerät besteht aus ein genaues, Niedrigausgleich, linearer Hall-Stromkreis mit einem kupfernen Leitungsweg, der nahe der Oberfläche des Würfels gelegen ist. Angewendetes gegenwärtiges, diesen kupfernen Leitungsweg durchfließend, erzeugt ein Magnetfeld, das der Hall-IC in eine proportionale Spannung umwandelt. Gerätgenauigkeit wird durch die nächste Nähe des magnetischen Signals zum Hall-Wandler optimiert. Eine genaue, proportionale Spannung wird vom Niedrigausgleich, Zerhacker-stabilisierter BiCMOS-Hall-IC zur Verfügung gestellt, der nach dem Verpacken für Genauigkeit programmiert wird.

EIGENSCHAFTEN und NUTZEN

Lärmarmer Analogsignalweg
▪Gerätbandbreite wird über den neuen FILTER-Stift eingestellt
▪5 μs Anstiegszeit in Erwiderung auf Schritteingangsstrom
▪80 kHz-Bandbreite
▪Gesamtleistungsfehler 1,5% an TA= 25°C
▪Kleiner Abdruck, flaches Paket SOIC8
▪1,2 mΩ interner Leiterwiderstand
▪2,1 kVRMS minimale Isolierungsspannung von den Stiften 1-4 zu Stift-5-8 ▪ 5,0 V, einzelne Versorgungsoperation
▪66 bis 185 mV-/Aertragempfindlichkeit
▪Ausgangsspannung proportional zu Wechselstrom- oder DC-Strom
▪Fabrik-getrimmt für Genauigkeit
▪Extrem Stallertrag-Offsetspannung
▪Fast null magnetische Hysterese
▪Ratiometric Ertrag von der Versorgungsspannung

ACS712ELCTR-05B-T

ACS712ELCTR-20A-T

ACS712ELCTR-30A-T

Eigenschaft

Symbol

Anmerkungen

Bewertung

Einheiten

Versorgungs-Spannung

VCC

8

V

Rückversorgungs-Spannung

VRCC

– 0,1

V

Ausgangsspannung

VIOUT

8

V

Rückausgangsspannung

VRIOUT

– 0,1

V

Ertrag-Stromquelle

IIOUT (Quelle)

3

MA

Ausgangsstrom-Wanne

IIOUT (Wanne)

10

MA

Überstrom-vorübergehende Toleranz

IP

1 Impuls, Frau 100

100

Nominale funktionierende umgebende Temperatur

TA

Strecke E

– 40 bis 85

OC

Maximale Grenzschichttemperatur

TJ (maximal)

165

OC

Lagertemperatur

Tstg

– 65 bis 170

OC

Eigenschaft

Symbol

Anmerkungen

Bewertung

Einheit

Durchschlagsfestigkeits-Test Voltage*

VISO

Agentur Art-prüfte auf 60 Sekunden pro UL-Standard 60950-1, 1. Ausgabe

2100

VAC

Funktions-Spannung für grundlegende Isolierung

VWFSI

Für grundlegende (einzelne) Isolierung pro UL-Standard 60950-1, 1. Ausgabe

354

VDC oder Vpk

Funktions-Spannung für verstärkte Isolierung

VWFRI

Für verstärkte (doppelte) Isolierung pro UL-Standard 60950-1, 1. Ausgabe

184

VDC oder Vpk

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
10pcs