Hoher Transistor der Leitfähigkeits-IGBT/Hochgeschwindigkeitsspannung 75V der Schaltdiode-BAV99
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-75 V 150mA
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
SeriesHigh-Geschwindigkeits-Schalter-Diode:
Hochgeschwindigkeitsschaltdiode
Anwendung:
Für universelle zugeschaltete Anwendungen
Paket:
SOT23
Spannung:
75V
Gegenwärtig:
215mA
D/C:
19+
Höhepunkt:
insulated gate bipolar transistor
,npn silicon phototransistor
Einleitung
Schnelle Schaltverzögerung BAV99 verdoppeln differenzielle Schaltdiode SOT-23 in der Reihe
Beschreibung:
Das BAV99 ist Diodendem paket in der Reihen-SMD ein Doppel und bedeutet, dass es zwei Dioden gibt, die in der Reihe innerhalb eines SMD-Pakets geschaltet werden. Die Dioden können für zugeschaltete Anwendungen der differenziellen hohen Geschwindigkeit benutzt werden.
Eigenschaften:
• Schnelle Schaltverzögerung
• Hohe Leitfähigkeit
• Oberflächenbergpaket ideal entsprochen für automatische Einfügung
• Geschaltet in der Reihe
• AEC-Q101 qualifizierte verfügbares
• Hohe Leitfähigkeit
• Oberflächenbergpaket ideal entsprochen für automatische Einfügung
• Geschaltet in der Reihe
• AEC-Q101 qualifizierte verfügbares
Anwendungen
- Universelle Schaltung
- Hochgeschwindigkeitsschaltung
- Rückpolaritäts-Schutz
- Abschneidenoder Klemmschaltungen
- Schutzschaltungen
Auf Lager
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