Betriebstemperatur-ultra niedriger auf- Widerstand IRF3205PBF Mosfet-Leistungstransistor-175°C
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Reihe:
IRF3205PBF
Anwendung:
schnelle Schaltverzögerung und ruggedized Gerät
Paket:
TO-220
Name:
Mosfet-Leistungstransistor
Höhepunkt:
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
Einleitung
? MOSFET 55V 98A TO-220 Energie IRF3205PbF HEXFET® MOSFET-Transistoren
Beschreibung
Moderne HEXFET®-Energie MOSFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei.
Eigenschaften
- Moderne Verfahrenstechnik
- ? Ultra niedriger Auf-Widerstand
- ? Dynamische dv-/dtbewertung
- ? 175°C Betriebstemperatur
- ? Schnelle Schaltung
- ? Völlig Lawine veranschlagt
- ? Bleifrei
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