IRFP9240 Dioden-P-Kanal für allgemeine Zwecke mit 150 Watt Durchgang
high current schottky diode
,low power zener diode
IRFP9240 Allzweck-Gerechtigungsdiode P-Kanal 200V 12A (Tc) 150W (Tc) durch Loch
Eigenschaften
• Dynamische dV/dt-Einstufung
• Wiederholung von Lawinen
• P-Kanal
• Isoliertes zentrales Montageloch
• Schnelle Umstellung
• Einfache Parallelisierung
• Einfache Fahrbedingungen
• Einhaltung der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
Beschreibung
Die Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Designer die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätendesign, geringem Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-247AC-Paket wird für kommerzielle und industrielle Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungsniveaus den Einsatz von TO-220AB-Geräten ausschließenDer TO-247AC ist ähnlich, aber durch sein isoliertes Montageloch dem früheren TO-218-Paket überlegen.Es bietet auch eine größere Kriechweite zwischen den Pins, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen.
| Produktattribute | Auswählen |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Reihe | - |
| Verpackung | Schlauch |
| Status des Teils | Aktiv |
| FET-Typ | P-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 200 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 7,2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 150 Watt (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Durchs Loch |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
VO1400AEFTR Feldwirkungstransistor
VS-60CPQ150PBF Feldwirkungstransistor neu und originell
VS-36MB160A Feldwirkungstransistor
IRF640PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original
IRF620PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original
MBRB10100-E3/8W Neue und ursprüngliche Lagerbestände
VS-HFA25PB60PBF NEU UND STAMMAKTIE
TCMT1107 NEU UND STAMMAKTIE
1N5245B-TAP NEU UND STAMMAKTIE
SUD17N25-165-E3 NEU UND STAMMAKTIE
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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VO1400AEFTR Feldwirkungstransistor |
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
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VS-60CPQ150PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
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VS-36MB160A Feldwirkungstransistor |
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
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IRF640PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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IRF620PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MBRB10100-E3/8W Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
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VS-HFA25PB60PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
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TCMT1107 NEU UND STAMMAKTIE |
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
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1N5245B-TAP NEU UND STAMMAKTIE |
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
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SUD17N25-165-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Channel 250 V 17A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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