Oberflächenberg 417mW (Ta) BSH201,215 NPN PNP des Transistor-P Kanal-60V 300mA (Ta)
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg TO-236AB des P-Kanal-60 V 300mA (Ta) der Oberflächen-417mW (Ta)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, ÜBERTRAGUNGSURKUNDE
Spezifikationen
Kategorien:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):
60V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:
300mA (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:
2,5 Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:
1V @ 1mA (Minute)
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:
3nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:
70pF @ 48V
Höhepunkt:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Einleitung
BSH201 NPN PNP Transistoren P-Kanal 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Oberflächenhalter
P-Kanal-Verstärkungsmodus BSH201 MOS-Transistor
Eigenschaften SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • Niedrige Schwellenspannung VDS = -60 V • Schnelle Schaltung • Kompatible ID auf Logikebene = -0,3 A • Subminiatur-Flächenmontagepaket RDS ((ON) ≤ 2,5 Ω (VGS = -10 V)
Allgemeine Beschreibung PINNING SOT23
P-Kanal, Verstärkungsmodus, PIN DESCRIPTION Logik-Ebene, Feld-Effekt-Leistungstransistor.Dieses Gerät hat eine niedrige 1-Tor Schwellenspannung und extrem schnelle Schaltung, so dass es ideal für 2 Quellen Batteriebetriebene Anwendungen und High-Speed-digitale Schnittstelle. 3 Abfluss
Der BSH201 wird in der Subminiatur-Flächenmontage-Verpackung SOT23 geliefert.
| Produktattribute | Auswählen |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | |
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Reihe | - |
| Verpackung | Band und Rolle (TR) |
| Status des Teils | Aktiv |
| FET-Typ | P-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 60 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 300 mA (Ta) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA (Min) |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 417 mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-236AB |
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