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Familie von Operationsverstärkern mit breiter Bandbreite und hoher Ausgangsleistung und Einzelversorgung Tl7757cdr

fabricant:
Texas Instruments
Beschreibung:
Aufsichtskraft-offener Abfluss oder Open-Collector-1 Kanal 8-SOIC
Kategorie:
Energie-Management IC
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Versorgungs-Spannung:
17 V
Funktionierende Lufttemperaturstrecke, TA: C-Suffix:
0°C zu 70°C
Funktionierende Lufttemperaturstrecke, TA: Ich füge an:
°C −40 zu 125°C
Maximale Grenzschichttemperatur, TJ:
150 Grad
Lagertemperaturbereich, Tstg:
−65°C zu 150°C
Führen Sie Temperatur 1,6 Millimeter (1/16 Zoll) vom Argument für 10 Sekunden:
260°C
Höhepunkt:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Einleitung

 

FAMILIE VON OPERATIONSVERSTÄRKER MIT BREITER BANDWEITE UND HOHER AUSGABEANTRIEB, EINZELVERSORGUNG

 

*Große Bandbreite...10 MHz

*Hochleistungsantrieb

− IchOH...57 mA bei VDD− 1,5 VOperationsverstärker

− IchOL...55 mA bei 0,5 V

*Hohe Anstiegsgeschwindigkeit

− SR+ ...16 V/µs

− SR− ...19 V/µs

*Großes Lieferprogramm...4,5 V bis 16 V

*Versorgungsstrom...1,9 mA/Kanal

*Abschaltmodus mit extrem niedrigem Stromverbrauch

ICHDD...125 µA/Kanal

*Geringe Eingangsrauschspannung...8,5 nV√Hz

*Eingangs-Offsetspannung...60 µV

*Ultrakleine Pakete

− 8- oder 10-poliger MSOP (TLC080/1/2/3)

 

Beschreibung

Die ersten Mitglieder der neuen BiMOS-Allzweck-Operationsverstärkerfamilie von TI sind die TLC08x.Das Konzept der BiMOS-Familie ist einfach: Bietet einen Upgrade-Pfad für BiFET-Benutzer, die von Dual-Supply-Systemen auf Single-Supply-Systeme umsteigen und eine höhere AC- und DC-Leistung benötigen.Mit einer Nennleistung von 4,5 V bis 16 V im kommerziellen Bereich (0 °C bis 70 °C) und einem erweiterten industriellen Temperaturbereich (–40 °C bis 125 °C) eignet sich BiMOS für eine Vielzahl von Audio-, Automobil-, Industrie- und Industrieanwendungen Instrumentierungsanwendungen.Bekannte Funktionen wie Offset-Nulling-Pins und neue Funktionen wie MSOP PowerPADTMPakete und Shutdown-Modi ermöglichen höhere Leistungsniveaus in einer Vielzahl von Anwendungen.

 

Die neuen BiMOS-Verstärker wurden im patentierten LBC3-BiCMOS-Prozess von TI entwickelt und kombinieren ein rauscharmes CMOS-Frontend mit sehr hoher Eingangsimpedanz mit einer bipolaren Ausgangsstufe mit hoher Ansteuerung und bieten so die optimalen Leistungsmerkmale beider.Zu den AC-Leistungsverbesserungen gegenüber den BiFET-Vorgängern des TL08x gehören eine Bandbreite von 10 MHz (eine Steigerung um 300 %) und ein Spannungsrauschen von 8,5 nV/√Hz (eine Verbesserung um 60 %).DC-Verbesserungen umfassen eine garantierte VICRDazu gehören Erdung, eine Reduzierung der Eingangsoffsetspannung um den Faktor 4 auf bis zu 1,5 mV (maximal) in der Standardausführung und eine Verbesserung der Stromversorgungsunterdrückung um mehr als 40 dB bis 130 dB.Zu dieser Liste beeindruckender Funktionen kommt noch die Möglichkeit hinzu, ±50-mA-Lasten komfortabel über ein extrem platzsparendes MSOP-PowerPAD-Gehäuse anzusteuern, was den TLC08x zur idealen Hochleistungs-Allzweck-Operationsverstärkerfamilie macht.

 

absolute Höchstwerte über den Betriebstemperaturbereich bei freier Luft (sofern nicht anders angegeben)†

Versorgungsspannung, VDD(siehe Anmerkung 1) ..................................................17 V

Differenzeingangsspannungsbereich, VAUSWEIS................................................±VDD

Kontinuierliche Gesamtverlustleistung..............................Siehe Verlustleistungstabelle

Betriebstemperaturbereich der freien Luft, TA: C-Suffix................................0°C bis 70°C

Ich suffixiere .............................−40 °C bis 125 °C

Maximale Sperrschichttemperatur, TJ................................................150 °C

Lagertemperaturbereich, Tstg..........................................−65 °C bis 150 °C

Bleitemperatur 1,6 mm (1/16 Zoll) vom Gehäuse für 10 Sekunden.........................260 °C

 

† Belastungen, die über die unter „absolute Höchstwerte“ aufgeführten Werte hinausgehen, können zu dauerhaften Schäden am Gerät führen.Hierbei handelt es sich lediglich um Belastungswerte, und ein funktionsfähiger Betrieb des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die unter „empfohlenen Betriebsbedingungen“ angegebenen hinausgehen, ist nicht impliziert.Wenn das Gerät über einen längeren Zeitraum absoluten Maximalbedingungen ausgesetzt wird, kann dies die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen.

HINWEIS 1: Alle Spannungswerte, mit Ausnahme der Differenzspannungen, beziehen sich auf GND.

 

Tabelle der Verlustleistung

 PAKET θJC(°C/W) θJA(°C/W) TA≤ 25 °C Nennleistung
D (8) 38,3 176 710 mW
D (14) 26,9 122,3 1022 mW
D (16) 25,7 114,7 1090 mW
DGN (8) 4,7 52,7 2,37 W
DGQ (10) 4,7 52,3 2,39 W
N (14, 16) 32 78 1600 mW
P (8) 41 104 1200 mW
PWP (20) 1,40 26,1 4,79 W

 

Empfohlene Betriebsbedingungen

    MINIMAL MAXIMAL EINHEIT
Versorgungsspannung, VDD Einzelversorgung 4,5 16 V
Geteiltes Angebot ±2,25 ±8
Gleichtakt-Eingangsspannung, VICR GND VDD−2 V
Abschalt-Ein/Aus-Spannungspegel‡ VICH H 2 V
VIL 0,8
Betriebstemperatur der freien Luft, TA C-Suffix 0 70 °C
I-Suffix -40 125

‡ Bezogen auf die Spannung am GND-Anschluss des Geräts.

 

 

BEWERBUNGS INFORMATIONEN

 

 

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