MT46V8M16TG-6T IT:D TR Original Integrierter Schaltkreis Integrierter Schaltkreischip DOPPELTE DATENRATE DDR SDRAM
integrated circuit ic
,integrated circuit components
SDRAM mit doppelter Datenrate (DDR).
MERKMALE
• 167 MHz Takt, 333 Mbit/s/p Datenrate
• VDD = +2,5 V ±0,2 V, VDDQ = +2,5 V ±0,2 V
• Bidirektionaler Daten-Strobe (DQS), der mit Daten gesendet/empfangen wird, d. h. quellensynchrone Datenerfassung (x16 hat zwei – einen pro Byte)
• Interne Pipeline-Double-Data-Rate-Architektur (DDR);zwei Datenzugriffe pro Taktzyklus
• Differenzielle Takteingänge (CK und CK#)
• Befehle werden bei jeder positiven CK-Flanke eingegeben
• DQS-Kantenausrichtung mit Daten für READs;zentriert mit Daten für WRITEs
• DLL zum Ausrichten von DQ- und DQS-Übergängen an CK
• Vier interne Bänke für gleichzeitigen Betrieb
• Datenmaske (DM) zum Maskieren von Schreibdaten (x16 hat zwei – eine pro Byte)
• Programmierbare Burst-Längen: 2, 4 oder 8
• Option für gleichzeitiges automatisches Vorladen wird unterstützt
• Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
• FBGA-Paket verfügbar
• 2,5 VI/O (SSTL_2-kompatibel)
• t RAS-Sperre (t RAP = t RCD)
• Abwärtskompatibel mit DDR200 und DDR266
OPTIONEN TEILENUMMER
• Aufbau
32 MB x 4 (8 MB x 4 x 4 Bänke) 32M4
16 MB x 8 (4 MB x 8 x 4 Bänke) 16M8
8 MB x 16 (2 MB x 16 x 4 Bänke) 8M16
• Kunststoffverpackung
66-Pin TSOP (OCPL) TG
60-Ball FBGA (16x9mm) FJ
• Timing – Zykluszeit
6 ns bei CL = 2,5 (DDR333B–FBGA)1-6
6 ns bei CL = 2,5 (DDR333B–TSOP)1-6T
7,5 ns bei CL = 2 (DDR266A)2-75Z
• Selbstaktualisierung
Standardmäßig keine
HINWEIS: 1. Unterstützt PC2700-Module mit 2,5-3-3-Timing
2. Unterstützt PC2100-Module mit 2-3-3-Timing
DDR333-KOMPATIBILITÄT
DDR333 erfüllt oder übertrifft alle DDR266-Timing-Anforderungen und gewährleistet so vollständige Abwärtskompatibilität mit aktuellen DDR-Designs.Darüber hinaus unterstützen diese Geräte gleichzeitiges automatisches Vorladen und RAS-Sperre für eine verbesserte Timing-Leistung.Das 128-MB-DDR333-Gerät unterstützt ein durchschnittliches periodisches Aktualisierungsintervall (t REFI) von 15,6 µs.
Das standardmäßige 66-Pin-TSOP-Paket wird für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen angeboten, während das FBGA-Paket für Multi-Drop-Systeme vorgesehen ist.
Das Micron 128 MB-Datenblatt bietet vollständige Spezifikationen und Funktionen, sofern hierin nicht anders angegeben.
FBGA 60-BALL-PAKETABMESSUNG
FBGA-PAKETMARKIERUNG
Aufgrund der physischen Größe des FBGA-Gehäuses ist die vollständige Bestellnummer nicht auf dem Gehäuse aufgedruckt.Stattdessen wird der folgende Paketcode verwendet.
Top-Marke enthält fünf Felder 12345
• Feld 1 (Produktfamilie)
DRAM D
DRAM - ES Z
• Feld 2 (Produkttyp)
2,5 Volt, DDR SDRAM, 60-Ball-L
• Feld 3 (Breite)
x4 Geräte B
x8-Geräte C
x16-Geräte D
• Feld 4 (Dichte/Größe)
128 MB F
• Eingereicht 5 (Geschwindigkeitsnote)
-6 J
-75Z P
-75 F
-8 °C
ABMESSUNGEN DES 66-PIN-TSOP-GEHÄUSES PIN-BELEGUNG DES 66-PIN-TSOP-GEHÄUSES
MT48LC4M16A2TG-75 IT: IC-MIKROMETER TSOP4 Meg. Ohm X 4 x 4 Dram G TR synchroner Banken
M45PE10-VMN6P Flash-Speicher-IC Neues und Original
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Flash-Speicher IC Neues und Originalvorrat
N25Q128A13EF740F Neue und ursprüngliche Lagerbestände
PF48F3000P0ZTQEA Neue und ursprüngliche Lagerbestände
N25Q128A13ESF40F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände
N25Q064A13ESE40F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände
N25Q128A11EF840F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände
N25Q128A13BSF40F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände
MX30LF2G18AC-TI Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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MT48LC4M16A2TG-75 IT: IC-MIKROMETER TSOP4 Meg. Ohm X 4 x 4 Dram G TR synchroner Banken |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
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M45PE10-VMN6P Flash-Speicher-IC Neues und Original |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
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MT25QL512ABB1EW9-0SIT Flash-Speicher IC Neues und Originalvorrat |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
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N25Q128A13EF740F Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
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PF48F3000P0ZTQEA Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
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N25Q128A13ESF40F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
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N25Q064A13ESE40F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
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N25Q128A11EF840F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
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N25Q128A13BSF40F TR Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
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MX30LF2G18AC-TI Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
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