ILQ2 Integrierter Schaltkreis-Chip-Optokoppler, Fototransistor-Ausgang
electronics ic chip
,integrated circuit ic
ILD1/ 2/ 5 / ILQ1/ 2/ 5
Optokoppler, Fototransistor-Ausgang (Zwei-, Vierkanal)
Merkmale
• Aktuelles Übertragungsverhältnis bei IF= 10 mA
• Isolationsprüfspannung, 5300 VRMS
• Bleifreie Komponente
• Komponente gemäß RoHS 2002/95/EG und WEEE 2002/96/EG
Genehmigungen von Behörden
• UL1577, Datei-Nr. E52744, Systemcode H oder J, doppelter Schutz
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
• DIN EN 60747-5-2 (VDE0884) DIN EN 60747-5-5 in Vorbereitung Erhältlich mit Option 1
• FIMKO
Beschreibung
Bei den ILD1/ 2/ 5/ ILQ1/ 2/ 5 handelt es sich um optisch gekoppelte isolierte Paare, die GaAs-Infrarot-LEDs und Silizium-NPN-Fototransistoren verwenden.Signalinformationen, einschließlich eines Gleichstrompegels, können vom Antrieb übertragen werden, während ein hohes Maß an elektrischer Isolierung zwischen Eingang und Ausgang aufrechterhalten wird.
Die ILD1/ 2/ 5/ ILQ1/ 2/ 5 sind speziell für den Antrieb von Logik mittlerer Geschwindigkeit konzipiert und können zur Beseitigung störender Erdschleifen- und Rauschprobleme verwendet werden.Außerdem können diese Koppler als Ersatz für Relais und Transformatoren in vielen digitalen Schnittstellenanwendungen wie der CTR-Modulation verwendet werden.
Der ILD1/2/5 verfügt über zwei isolierte Kanäle in einem einzigen DIP-Gehäuse und der ILQ1/2/5 über vier isolierte Kanäle pro Gehäuse.
absolut beste Bewertungen
Tamb = 25 °C, sofern nicht anders angegeben. Belastungen, die über die absoluten Maximalwerte hinausgehen, können zu dauerhaften Schäden am Gerät führen.Unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die in den Betriebsabschnitten dieses Dokuments angegebenen hinausgehen, ist ein funktionsfähiger Betrieb des Geräts nicht gewährleistet.Die Exposition gegenüber der absoluten Höchstbewertung über einen längeren Zeitraum kann sich negativ auf die Zuverlässigkeit auswirken.
| Parameter | Testbedingung | Symbol | Wert | Einheit | |
|---|---|---|---|---|---|
| Eingang | |||||
| Sperrspannung | VR | 6,0 | V | ||
| Vorwärtsstrom | ICHF | 60 | mA | ||
| Stoßstrom | ICHFSM | 2.5 | A | ||
| Energieverschwendung | Pdiss | 100 | mW | ||
| Ab 25 °C linear reduzieren | 1.3 | mW/°C | |||
| Ausgang | |||||
| Kollektor-Emitter-Sperrspannung | ILD1 | VCER | 50 | V | |
| ILQ1 | VCER | 50 | V | ||
| ILD2 | VCER | 70 | V | ||
| ILQ2 | VCER | 70 | V | ||
| ILD5 | VCER | 70 | V | ||
| ILQ5 | VCER | 70 | V | ||
| Kollektorstrom | ICHC | 50 | mA | ||
| t < 1,0 ms | ICHC | 400 | mA | ||
| Energieverschwendung | Pdiss | 200 | mW | ||
| Ab 25 °C linear reduzieren | 2.6 | mW/°C | |||
| Koppler | |||||
| Isolationsprüfspannung (zwischen Emitter und Detektor bezogen auf Normklima 25 °C/ 50 % rF, DIN 50014) | VISO | 5300 | VRMS | ||
| Kriechen | ≥ 7,0 | mm | |||
| Spielraum | ≥ 7,0 | mm | |||
| Isolationswiderstand | VIO= 500 V, Tamb = 25 °C | RIO | 1012 | Ω | |
| VIO= 500 V, Tamb = 100 °C | RIO | 1011 | Ω | ||
| Verlustleistung des Pakets | PKnirps | 250 | mW | ||
| Ab 25 °C linear reduzieren | 3.3 | mW/°C | |||
| Lagertemperatur | Tstg | - 40 bis + 150 | °C | ||
| Betriebstemperatur | Tamb | - 40 bis + 100 | °C | ||
| Stellentemperatur | Tj | 100 | °C | ||
| Löttemperatur | 2,0 mm vom Gehäuseboden entfernt | Tsld | 260 | °C | |
Aktienangebot (Hot Sell)
| Teile-Nr. | Menge | Marke | D/C | Paket |
| BC847CLT1G | 10000 | AN | 14+ | SOT-23 |
| BC848CLT1G | 10000 | AN | 16+ | SOT-23 |
| LM7812CT | 10000 | NSC | 15+ | TO-220 |
| MAX660MX | 5052 | NSC | 12+ | SOP |
| LT3759EMSE | 3778 | LT | 15+ | MSOP |
| LTC3374EUHF | 6831 | LINEAR | 16+ | QFN |
| MCP1703T-3302E/MB | 5104 | MIKROCHIP | 15+ | SOT-89 |
| MCF52236AF50 | 4822 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| MTP8N50E | 7541 | AN | 10+ | TO-220 |
| PCA9535D | 12200 | 16+ | SOP | |
| LPC2388FBD144 | 952 | 15+ | QFP-144 | |
| LMR10515XMF | 1922 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| MT46V32M16BN-6IT:F | 7149 | MIKRON | 14+ | FBGA |
| LPC1778FBD144 | 1752 | 15+ | LQFP-144 | |
| MAX6366LKA31-T | 4564 | MAXIME | 15+ | SOT |
| LMV393MX | 5311 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| LM2678SX-5.0 | 2000 | NSC | 11+ | TO-263 |
| NTB60N06T4G | 4380 | AN | 16+ | TO-263 |
| 30377* | 668 | BOSCH | 10+ | PLCC44 |
| LM317MKVURG3 | 4026 | TI | 13+ | TO-252 |
| OPA2365AIDR | 7080 | TI | 15+ | SOP |
| AVL6211LA | 1100 | AVAILINK | 14+ | QFP64 |
| MLX14308IBF | 3400 | MELEXIS | 14+ | SOP |
| LM2901DG | 6580 | AN | 14+ | SOP-14 |
| LT1963EST-3.3 | 5050 | LT | 16+ | SOT-223 |
| MJH6287 | 89000 | AN | 16+ | TO-218 |
| PIC12F629-E/P | 5418 | MIKROCHIP | 15+ | TAUCHEN |
| PIC16F616-I/P | 5173 | MIKROCHIP | 14+ | TAUCHEN |
| 30615* | 925 | BOSCH | 11+ | QFP-32 |
| 30277* | 482 | BOSCH | 11+ | SOP-16 |
Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123
LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden
Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY
Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P
VO0630T Feldwirkungstransistor
Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207
Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand
Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T Feldwirkungstransistor |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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