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TPCA8109(TE12L1,V IC-Chip, integrierter Schaltkreis, Chip-Programmspeicher

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
P-Kanal 30 V 24A (Ta) 1.6W (Ta), Oberflächenfortschritt des berg-30W (Tc) 8-SOP (5x5)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperaturspanne:
°C -50 bis +150
Zahlungsbedingung:
T/T, Paypal, Western Union
Spannung:
30 V
Gegenwärtig:
5A
Paket:
SOP-8
Fabrik-Paket:
Spule
Höhepunkt:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Einleitung
  Feldeffekttransistor Silizium-P-Kanal-MOS-Typ (U-MOSⅥ)TPCA8109Anwendungen für Lithium-Ionen-Batterien, Anwendungen für Energieverwaltungsschalter

Merkmale

• Geringer Platzbedarf aufgrund des kleinen und dünnen Gehäuses

• Niedriger Drain-Source-EIN-Widerstand: RDS (EIN) = 7 mΩ (typ.)

• Niedriger Leckstrom: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −30 V)

• Erweiterungsmodus: Vth = −0,8 bis −2,0 V (VDS = −10 V, ID = −0,5 mA)

 

ABSOLUTE MAXIMALBEWERTUNG(1)
Drain-Source-Spannung VDSS −30 V
Drain-Gate-Spannung (RGS = 20 kΩ) VDGR −30 V
Gate-Source-Spannung VGSS −25/+20 V
DC (Hinweis 1) ID −24 Drainstrom gepulst (Hinweis 1)
IDP −72 A Drain-Verlustleistung (Tc=25°C) PD 30 W
Verlustleistung (t = 10 s) (Anmerkung 2a) PD 2,8 W
Verlustleistung (t = 10 s) (Anmerkung 2b) PD 1,6 W
Einzelimpuls-Lawinenenergie (Anmerkung 3) EAS 75 mJ
Lawinenstrom IAR −24 A
Kanaltemperatur Tch 150 °C
Lagertemperaturbereich Tstg −55 bis 150 °C

 
TEIL DES LAGERS

ATMEGA328P-MU TLP620GB
RX73BW3ATTE620J LPC812M101JDH20FP
1SMA5932BT3G ESDA6V1L
BC856BT TLC59283DBQR
SN74LS244N CA3140EZ
ADA4528-2ARMZ IRFZ46NPBF
OPA07CSZ IRF4905PBF
742792118* A30-400
OPA333AIDCKR A30-500
SAK-C167CS-LMCA A30-600
ATM46C3 A30-800
A2C56211 HFJ11-2450E-L21
U705 SDIC03 CR2354/HFN
BP3125 TMS320VC5402PGE100
PIC16F883-I/SO PCA9534DW
PIC16F883-I/SO BD677A
IRFPE50 TZM5237B-GS08
VT6315N TZM5256B-GS08
SKA3/17 TOP232PN
STK672-040E IS31AP4991-GRLSZ-TR
AM29F400BT-70ED NCS2211DR2G
TL7705ACDR LM4861MX

 

 

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