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ULN2803ADWR Integrierter Schaltkreischip DARLICM GROUPON TRANSISTOR-ARRAY

fabricant:
Texas Instruments
Beschreibung:
Zweipoliger Oberflächenberg 18-SOIC des Transistor-(BJT) der Reihen-8 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Emitter-Spannung:
50 V
Eingangsspannung:
30 V
Ununterbrochener Kollektorstrom:
500 MA
Ertragklammern-Diodenstrom:
500 MA
Gesamtsubstratanschlussstrom:
−2.5 A
Funktionierende virtuelle Grenzschichttemperatur:
150°C
Höhepunkt:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Einleitung

 

ULN2803A

DARLICM GROUPON-TRANSISTOR-ARRAY

 

• 500-mA-Nennkollektorstrom (Einzelausgang)

• Hochspannungsausgänge...50 V

• Ausgangsklemmdioden

• Eingänge, die mit verschiedenen Logiktypen kompatibel sind

• Relaistreiberanwendungen

• Kompatibel mit der ULN2800A-Serie

 

Beschreibung

Der ULN2803A ist ein Hochspannungs- und Hochstrom-DarliCM GROUPon-Transistor-Array.Das Gerät besteht aus acht NPN-DarliCM GROUPon-Paaren, die über Hochspannungsausgänge mit gemeinsamen Kathoden-Klemmdioden zum Schalten induktiver Lasten verfügen.Der Kollektorstromwert jedes DarliCM GROUPon-Paares beträgt 500 mA.Für eine höhere Strombelastbarkeit können die DarliCM GROUPon-Paare parallel geschaltet werden.

 

Zu den Anwendungen gehören Relaistreiber, Hammertreiber, Lampentreiber, Anzeigetreiber (LED und Gasentladung), Leitungstreiber und Logikpuffer.Der ULN2803A verfügt über einen 2,7-kΩ-Serienbasiswiderstand für jedes DarliCM GROUPon-Paar für den direkten Betrieb mit TTL- oder 5-V-CMOS-Geräten.

 

absolute Höchstwerte bei 25 °C Freilufttemperatur (sofern nicht anders angegeben)†

Kollektor-Emitter-Spannung................................................50 V

Eingangsspannung (siehe Hinweis 1) ...............................................30 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom............................................500mA

Ausgangsstrom der Klemmdiode.............................................500mA

Gesamtstrom Substrat-Anschluss ..........................................−2,5 A

Wärmeimpedanz des Gehäuses, θJA(siehe Anmerkungen 2 und 3): DW-Paket..........73,14°C/W

N-Paket............62,66°C/W

Virtuelle Sperrschichttemperatur im Betrieb, TJ..................................150°C

Lagertemperaturbereich, Tstg..................................−65 °C bis 150 °C


Belastungen, die über die unter „Absolute Höchstwerte“ aufgeführten Werte hinausgehen, können zu dauerhaften Schäden am Gerät führen.Hierbei handelt es sich lediglich um Belastungswerte, und ein funktionsfähiger Betrieb des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die unter „empfohlenen Betriebsbedingungen“ angegebenen hinausgehen, ist nicht impliziert.Wenn das Gerät über einen längeren Zeitraum absoluten Maximalbedingungen ausgesetzt wird, kann dies die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen.

ANMERKUNGEN:

1. Alle Spannungswerte beziehen sich, sofern nicht anders angegeben, auf den Emitter-/Substrat-Anschluss GND.

2. Die maximale Verlustleistung ist eine Funktion von TJ(max), θJA und TA.Die maximal zulässige Verlustleistung bei jeder zulässigen Umgebungstemperatur beträgt PD = (TJ(max) − TA)/θJA.Der Betrieb bei der absoluten maximalen TJ von 150 °C kann die Zuverlässigkeit beeinträchtigen.

3. Die thermische Impedanz des Gehäuses wird gemäß JESD 51-7 berechnet.

 

 

 

 

 

 

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