M93S46-WMN6TP MICROWIRE Serieller Zugriffs-EEPROM mit Blockschutz
electronics ic chip
,integrated circuit ic
M93S46-WMN6TP MICROWIRE Serieller Zugriffs-EEPROM mit Blockschutz
FUNKTIONSZUSAMMENFASSUNG
Industriestandard-MICROWIRE-Bus
Einzelne Versorgungsspannung: – 4,5 bis 5,5 V für M93Sx6 – 2,5 bis 5,5 V für M93Sx6-W – 1,8 bis 5,5 V für M93Sx6-R Einzelne Organisation: per Wort (x16)
Programmieranweisungen, die funktionieren für: Word oder den gesamten Speicher
Selbstgesteuerter Programmierzyklus mit AutoErase
Benutzerdefinierter schreibgeschützter Bereich
Seitenschreibmodus (4 Wörter)
Bereitschafts-/Beschäftigt-Signal während der Programmierung
Geschwindigkeit:
– 1 MHz Taktrate, 10 ms Schreibzeit (aktuelles Produkt, gekennzeichnet durch den Prozesskennbuchstaben F oder M) – 2 MHz Taktrate, 5 ms Schreibzeit (neues Produkt, gekennzeichnet durch den Prozesskennbuchstaben W oder G) Sequentielle Leseoperation
Verbessertes ESD-/Latch-Up-Verhalten
Mehr als 1 Million Lösch-/Schreibzyklen
Mehr als 40 Jahre Datenspeicherung
ZUSAMMENFASSENDE BESCHREIBUNG
Diese Spezifikation deckt eine Reihe serieller 4K-, 2K- und 1K-Bit-EEPROM-Produkte (Electrically Erasable Programmable Memory) ab (jeweils für M93S66, M93S56, M93S46).In diesem Text werden diese Produkte gemeinsam als M93Sx6 bezeichnet.
Der Zugriff auf den M93Sx6 erfolgt über einen seriellen Eingang (D) und Ausgang (Q) unter Verwendung des MICROWIRE-Busprotokolls.Der Speicher ist in 256, 128, 64 x16-Bit-Wörter unterteilt (jeweils für M93S66, M93S56, M93S46).Der Zugriff auf den M93Sx6 erfolgt über eine Reihe von Befehlen, die „Lesen“, „Schreiben“, „Seitenschreiben“, „Alle schreiben“ und Befehle zum Festlegen des Speicherschutzes umfassen.Diese sind in Tabelle 2. und Tabelle 3. zusammengefasst.Ein Befehl zum Lesen von Daten aus dem Speicher (READ) lädt die Adresse des ersten zu lesenden Wortes in einen internen Adresszeiger.Die an dieser Adresse enthaltenen Daten werden dann seriell ausgetaktet.Der Adresszeiger wird nach der Datenausgabe automatisch inkrementiert und wenn der Chip Select Input (S) auf High gehalten wird, kann der M93Sx6 einen sequentiellen Strom von Datenwörtern ausgeben.Auf diese Weise kann der Speicher als Datenstrom von 16 bis 4096 Bit (für den M93S66) oder kontinuierlich gelesen werden, da der Adresszähler automatisch auf 00h zurückspriCM GROUP, wenn die höchste Adresse erreicht ist.Innerhalb der Zeit, die ein Programmierzyklus (tW) benötigt, können mit Hilfe des Page Write-Befehls bis zu 4 Wörter geschrieben werden.Der gesamte Speicher kann auch gelöscht oder auf ein vorgegebenes Muster eingestellt werden, indem der Befehl „Alle schreiben“ verwendet wird.Innerhalb des Speichers kann ein benutzerdefinierter Bereich vor weiteren Schreibbefehlen geschützt werden.Die Größe dieses Bereichs wird durch den Inhalt eines Schutzregisters definiert, das sich außerhalb des Speicherarrays befindet.Als letzten Schutzschritt können Daten dauerhaft geschützt werden, indem ein One Time Programming Bit (OTP-Bit) programmiert wird, das den Inhalt des Schutzregisters sperrt.Die Programmierung erfolgt intern selbstgetaktet (das externe Taktsignal am seriellen Takt (C) kann nach dem Start eines Schreibzyklus gestoppt oder weiterlaufen gelassen werden) und erfordert keinen Löschzyklus vor dem Schreibbefehl.Der Schreibbefehl schreibt jeweils 16 Bits in einen der Wortspeicherorte des M93Sx6, der Seitenschreibbefehl schreibt bis zu 4 Wörter mit 16 Bits in sequentielle Speicherorte, wobei in beiden Fällen davon ausgegangen wird, dass sich alle Adressen außerhalb des schreibgeschützten Bereichs befinden.Nach dem Start des Programmierzyklus steht am seriellen Datenausgang (Q) ein Busy/Ready-Signal zur Verfügung, wenn der Chip Select-Eingang (S) auf High gesetzt wird.

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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