Stromkreis-Computer Chip Board n-Kanal Powertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated
electronic chip board
,electronic components ic
Stromkreis-Computer Chip Board n-Kanal Powertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated
elektronische Bauelement-Stammaktie N-Kanal 30V PowerTrench FDS6676AS
Allgemeine Beschreibung
Das FDS6676AS ist entworfen, um einen einzelnen MOSFET SO-8 und eine Schottky-Diode in synchronem zu ersetzen
DC: DC-Stromversorgung. Dieser MOSFET 30V ist entworfen, um Energieaufbereitungs-Leistungsfähigkeit zu maximieren und stellt ein niedriges RDS (AN) und niedrigen Torvorwurf zur Verfügung. Das FDS6676AS schließt eine integrierte Schottky-Diode unter Verwendung Fairchild monolithischer SyncFET-Technologie mit ein.
Anwendungen
• DC-/DCkonverter
• Niedriges Seitennotizbuch
Eigenschaften
• A 14,5, 30 max= 6,0 V. RDS (AN) mΩ @ VGS = 10 V RDS (AN) max= 7,25 mΩ @ VGS = 4,5 V
• Schließt Körperdiode SyncFET Schottky mit ein
• Niedrige Torgebühr (45nC typisch)
• Hochleistungsgrabentechnologie für extrem - niedriges RDS (AN) und schnelle Schaltung
• Hohe Leistung und gegenwärtige Behandlungsfähigkeit
Absolute Maximalleistungen TA=25o C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheit |
| VDSS | Abfluss-Quellspannung | 30 | V |
| VGSS | Tor-Quellspannung | ±20 | V |
| Identifikation |
Lassen Sie gegenwärtiges – ununterbrochen ab (Anmerkung 1a) – Pulsiert |
14,5 | |
| 50 | |||
| PD |
Verlustleistung für einzelne Operation (Anmerkung 1a) (Anmerkung 1b) (Anmerkung 1c) |
2,5 | W |
| 1,5 | |||
| 1 | |||
| TJ, TSTG | Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke | – 55 bis +150 | °C |
Thermische Eigenschaften
| RθJA | Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 1a) | 50 | W/°C |
| RθJC | Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-Fall (Anmerkung 1) | 25 |
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
| Gerät-Markierung | Gerät | Spulen-Größe | Bandbreite | Quantität |
| FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500 Einheiten |
| FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500 Einheiten |
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