AQY210EH-RELAIS PHOTOMOS SPNO China Lieferanten-neue u. ursprüngliche elektronische Bauelemente
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Festzustand SPST-NO (1 Form A) 4-DIP (0,300", 7.62mm)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
0.1USD
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Spannung:
350V
Eigenschaften:
Mehr als 0,4 Millimeter interner Isolierung
Beschreibung:
außergewöhnliches Q und hohes SRFs
Temperatur:
/
Gebrauch:
/
Art:
IC-Chip
Höhepunkt:
circuit board ic
,electronic components ic
Einleitung
AQY210EH-RELAIS PHOTOMOS SPNO
EIGENSCHAFTEN
1. Verstärkte Art der Isolierung 5.000 V
Mehr als 0,4 Millimeter der internen Isolierung DIS
tance zwischen Input und Ertrag. Betrug
Formen zu EN41003, EN60950 (verstärkte Isolierung).
2. Kompakte 4 Stift-BAD-Größe
Das Gerät kommt in einen Vertrag
(W) 6.4× (L) 4.78× (H) 3.2mm
(W) .252× (L) .188× (H) .126INCH,
Größe des BADES 4-pin.
3. Niedrige Analogsignale der Kontrollen
PhotoMOS-Relais kennzeichnen extrem - Tief
zu ermöglichen Ruhestromoffsetspannung
Steuerung von niedrigen Analogsignalen außen
Verzerrung.
4. Hohe Empfindlichkeit, niedrig AUF Widerstand
Maximales 0,13 steuern kann eine Last, die mit einem 5 MA Eingangsstrom gegenwärtig ist.
Tief AUF Widerstand von 25Ω (AQY210EH).
Stabile Operation, weil es keine metallischen Kontaktteile gibt.
5. Niedriger Aus-Zustands-Durchsickernstrom
Das SSR hat einen Aus-Zustands-Durchsickernstrom
von einigen Milli-Amperes während das Pho-
toMOS Relais hat PA nur 100 sogar mit
die Spannung der bewerteten Last von 350 V
(AQY210EH).
TYPISCHE ANWENDUNGEN
• Modem
• Telefonsystem
• Sicherheitsausrüstung
• Sensoren
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