TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR, das infrarotemittierende Diode der Dioden-hohen Leistung ausstrahlt
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR, das infrarotemittierende Diode der Dioden-hohen Leistung ausstrahlt
EIGENSCHAFTEN
• Paketart: verbleit
• Paketform: T-1
• Maße (in Millimeter): ∅ 3
• Höchstwellenlänge: λp = 940 Nanometer
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe leuchtende Energie
• Hohe Strahlungsstärke
• Winkel von Halbwerts: ϕ = ± 25°
• Niedrige Vorwärtsspannung
• Passend für gegenwärtige Operation des hohen Impulses
• Gutes Spektralzusammenbringen mit Siphotodetektoren
• Paketmatch mit Detektor TEFT4300
• E-frei Komponente der Führung (Pb) in Übereinstimmung mit RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC
BESCHREIBUNG
TSAL4400 ist ein Infrarot, 940 Nanometer Diode in Technologie GaAlAs/GaAs mit der hohen leuchtenden Energie ausstrahlend, die in einem blau-grauen Plastikpaket geformt wird.
ANWENDUNGEN
• Infrarotfernsteuerungseinheiten
• Freifeldkraftübertragungssysteme
• Infrarotquelle für optische Zähler und Kartenleser
| EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN | ||||
| EINRICHTUNGS-CODE | VERPACKEN | ANMERKUNGEN | PAKET FORMtr (ns) | |
| TSAL4400 | Masse | MOQ: 5000 PC, 5000 PC/Masse | T-1 | |
Anmerkung
Testbedingungen sehen Tabelle „grundlegende Eigenschaften „
| PRODUKT-ZUSAMMENFASSUNG | ||||
| KOMPONENTE | IE (mW/sr) | ϕ (Grad) | λP (Nanometer) | tr (ns) |
| TSAL4400 | 30 | ± 25 | 940 | 800 |

