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TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR, das infrarotemittierende Diode der Dioden-hohen Leistung ausstrahlt

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Radialstrahl des Infrarot-(IR) des Emitter-940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50°, 3mm Durchmesser (T
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Eigenschaften:
• Paketart: verbleit
Features2:
• Paketform: T-1
Features3:
• Maße (in Millimeter): ∅ 3
Features4:
• Höchstwellenlänge: λp = 940 Nanometer
Features5:
• Hohe Zuverlässigkeit
FEATURES6:
Hohe leuchtende Energie
Höhepunkt:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Einleitung

TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR, das infrarotemittierende Diode der Dioden-hohen Leistung ausstrahlt

EIGENSCHAFTEN

• Paketart: verbleit

• Paketform: T-1

• Maße (in Millimeter): ∅ 3

• Höchstwellenlänge: λp = 940 Nanometer

• Hohe Zuverlässigkeit

• Hohe leuchtende Energie

• Hohe Strahlungsstärke

• Winkel von Halbwerts: ϕ = ± 25°

• Niedrige Vorwärtsspannung

• Passend für gegenwärtige Operation des hohen Impulses

• Gutes Spektralzusammenbringen mit Siphotodetektoren

• Paketmatch mit Detektor TEFT4300

• E-frei Komponente der Führung (Pb) in Übereinstimmung mit RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC

BESCHREIBUNG

TSAL4400 ist ein Infrarot, 940 Nanometer Diode in Technologie GaAlAs/GaAs mit der hohen leuchtenden Energie ausstrahlend, die in einem blau-grauen Plastikpaket geformt wird.

ANWENDUNGEN

• Infrarotfernsteuerungseinheiten

• Freifeldkraftübertragungssysteme

• Infrarotquelle für optische Zähler und Kartenleser

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
EINRICHTUNGS-CODE VERPACKEN ANMERKUNGEN PAKET FORMtr (ns)
TSAL4400 Masse MOQ: 5000 PC, 5000 PC/Masse T-1

Anmerkung

Testbedingungen sehen Tabelle „grundlegende Eigenschaften „

PRODUKT-ZUSAMMENFASSUNG
KOMPONENTE IE (mW/sr) ϕ (Grad) λP (Nanometer) tr (ns)
TSAL4400 30 ± 25 940 800

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Bild Teil # Beschreibung
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