MOSFET N-Kanal 500V 5A brachte Hochspannungs-MOSFET-Prozess AOD5N50 voran
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg TO-252 (DPAK) des N-Kanal-500 V 5A (Tc) 104W (Tc) der Oberflächen-
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Vds:
600V@150-℃
Identifikation (an VGS=10V):
5 A
RDS (AN) (an VGS=10V):
< 1="">
UIS prüfte!:
100%
Rg prüfte!:
100%
Höhepunkt:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Einleitung
AOD5N50 500V, N-Kanal 5A MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Das AOD5N50 wird unter Verwendung eines modernen Hochspannungs-MOSFET-Prozesses fabriziert, der entworfen ist, um hohe Stufen der Leistung und der Robustheit in populären AC-DC Anwendungen zu liefern. Indem man niedriges RDS (an) zur Verfügung stellt, können Ciss und Crss zusammen mit garantierter Lawinenfähigkeit dieses Gerät in die neuen und vorhandenen Offlinestromversorgungsentwürfe schnell angenommen werden.
Produkt-Zusammenfassung
VDS 600V@150-℃
D (an VGS=10V) 5A
RDS (AN) (an VGS=10V)< 1="">
100% UIS geprüft!
Rg 100% geprüft!
TYPISCHE ELEKTRISCHE UND THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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