NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor
fabricant:
Semi-ON / Semi-Katalysator
Beschreibung:
P-Kanal 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Oberflächenhalter SOT-223-4
Kategorie:
Elektronische Bauelemente
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Abfluss-Quellspannung:
30 V
Tor-Quellspannung:
±20 V
Lassen Sie gegenwärtiges ab:
±7.5 A
Funktionieren und Lagertemperaturbereich:
-65 bis 150 °C
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-Ambien:
42 °C/W
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zufall:
12 °C/W
Höhepunkt:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Einleitung
NDT456P P-Kanal-Verstärkungsmodus-Feldwirkungstransistor
Eigenschaften
* -7,5 A, -30 V. RDS(ON) = 0,030 W @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V
* Hochdichte Zellkonstruktion für extrem niedrige RDS ((ON)
* Hohe Leistung und Leistungsfähigkeit in einem weit verbreiteten Oberflächenmontagepaket.
Allgemeine Beschreibung
Power-SOT-P-Channel-Verstärkungsmodus-Power-Feld-Effekt-Transistoren werden mit Fairchilds firmeneigener, hoher Zelldichte, DMOS-Technologie hergestellt.Dieser sehr hohe Dichte-Prozess ist speziell darauf ausgelegt, den Widerstand im Betriebszustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung zu bietenDiese Geräte eignen sich besonders für Niederspannungsanwendungen wie Notebook-Computer-Strommanagement, batteriebetriebene Schaltungen und Gleichspannungsmotorsteuerung.
| Symbol | Parameter | Die Ausgabe ist in der Liste aufgeführt. | Einheiten |
| VDSS | Abflussspannung | - 30 | V |
| VGSS | Schaltquelle-Spannung | ± 20 | V |
| TJ, TSTG | Betriebstemperaturbereich und Lagertemperaturbereich | 65 bis 150 | °C |
| RqJA | Wärmebeständigkeit, Verbindung zum Umfeld (Anmerkung 1a) | 42 | °C/W |
| RqJC | Wärmebeständigkeit, Verbindung zum Gehäuse (Anmerkung 1) | 12 | °C/W |
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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