Energie-Zenerdiode-Leiterplatte Chips Electronic Component des Silikon-1N5358B
Spezifikationen
Höchstleistungs-Ableitung:
5W
Nominale Z-Spannung:
8,7… 200 V
Kunststoffkoffer:
DO-201
Gewicht ca.:
0,8 g
Toleranz:
±5%
Art:
DIODEN
Höhepunkt:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Einleitung
Dioden der Silikon-Energie--Zener1n5358b
Silikon-Energie--Zenerdioden (nicht planare Technologie)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Höchstleistungsableitung Maximale Verlustleistung Nominale Z-Spannung Nominale Z-Spannung
Kunststoffkoffer Kunststoffgehäuse Gewicht ca. Gewicht CA Plastik hat UL-Klassifikation 94V-0
Klassifiziert Gehäusematerial UL94V-0 Standardverpacken aufgenommen im Munitionssatz Standard-Lieferform-gegurtet im Munition-Satz
Standard-Zener-Spannungstoleranz ist ±5%). Andere Spannungstoleranzen und höhere Zener-Spannungen auf Anfrage.
Sterben Toleranz-der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung ±5%. Höhere Andere Toleranzen Oder
Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Verlustleistung Verlustleistung
|
Ptot
|
5 W 1)
|
Nicht sich wiederholende Höchstleistungsableitung, t < 10="" ms="">
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms="">
|
PZSM
|
80 W
|
Funktionierende Grenzschichttemperatur – Sperrschichttemperatur
Lagertemperatur – Lagerungstemperatur
|
Tj
TS
|
-50… +150°C
-50… +175°C
|
Kreuzung des thermischen Widerstands zur Luft
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
|
RthA
|
< 25="" K="">
|
Kreuzung des thermischen Widerstands zum Anschluss
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
|
RthL | <8 K=""> |
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