Infrarotemittierende Diode der hohen Leistung TSML1020, 950 Nanometer, GaAlAs/GaAs Gleichrichterdiode
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Infrarotemittierende Diode der hohen Leistung, 950 Nanometer, GaAlAs/GaAs
Eigenschaften
• Hervorragende hohe leuchtende Energie
• Niedrige Vorwärtsspannung
• Passend für gegenwärtige Operation des hohen Impulses
• Winkel von Halbwerts-ϕ = von ± 12°
• Höchstwellenlänge λp = 950 Nanometer
• Hohe Zuverlässigkeit
• Zusammengebrachte Fototransistor-Reihe: TEMT1000
• Vielseitige Terminalkonfigurationen
• Bleifreie Komponente
Beschreibung
Reihen TSML1000 sind infrarotemittierende Dioden der hohen Leistungsfähigkeit in GaAlAs auf GaAs-Technologie, die in klarem SMD-Paket geformt wird.
Diese Technologie stellt beste Leistung für leuchtende Energie unter Impulsbedingungen, Vorwärtsspannung und Zuverlässigkeit dar
Typische Eigenschaften (Tamb = °C 25 wenn nicht anders angegeben)
BESTANDSLISTE
| DLW21HN900SQ2L | 7950 | MURATA | 16+ | SMD |
| FAN5331SX | 1950 | FSC | 15+ | SOT23-5 |
| AD5160BRJZ50-RL7 | 2450 | ANZEIGE | 15+ | SOT23-8 |
| DTC114ESA | 3450 | ROHM | 16+ | TO-92S |
| HT7130-1 | 2460 | HOLTEK | 13+ | SOT-89 |
| ATMEGA16-16AU | 2500 | ATMEL | 15+ | QFP-44 |
| 74HCT04D | 7500 | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| 26PCAFA6D | 3000 | HONEYWELL | 15+ | SCHLÜCKCHEN |
| ATMEGA168PA-AU | 2500 | ATMEL | 16+ | QFP |
| BYT230PIV-400 | 900 | St. | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| 74F827N | 7500 | 16+ | BAD | |
| BC817-16 | 15000 | 15+ | SOT-23 | |
| AD711JN | 2450 | ANZEIGE | 15+ | BAD |
| DS9034PCX | 4350 | DALLAS | 16+ | PWB |
| DAC08Q | 1825 | ANZEIGE | 15+ | DIP-16 |
| CY8C27543-24AXI | 2500 | ZYPRESSE | 16+ | QFP44 |
| AOZ1031AI | 1600 | AOS | 15+ | SOP-8 |
| ATMEGA8515-16AU | 2500 | ATMEL | 15+ | QFP-44 |
| 74LVC373APW | 7500 | 15+ | TSSOP | |
| INA114BU | 1780 | TI | 16+ | SOP-16 |
| BZV55-C36 | 9000 | 15+ | LL34 | |
| BC639 | 15000 | FSC | 15+ | TO-92 ‚ |

