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Infrarotemittierende Diode der hohen Leistung TSML1020, 950 Nanometer, GaAlAs/GaAs Gleichrichterdiode

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Infrarot (IR) Emitter 940 nm 1,2 V 100 mA 3 mW/sr bei 20 mA 24° 2-SMD, Gull Wing
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
vr:
5 V
WENN:
100 MA
IFM:
200 MA
IFSM:
1,0 A
PV:
190 mW
Höhepunkt:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Einleitung

Infrarotemittierende Diode der hohen Leistung, 950 Nanometer, GaAlAs/GaAs


Eigenschaften
• Hervorragende hohe leuchtende Energie
• Niedrige Vorwärtsspannung
• Passend für gegenwärtige Operation des hohen Impulses
• Winkel von Halbwerts-ϕ = von ± 12°
• Höchstwellenlänge λp = 950 Nanometer
• Hohe Zuverlässigkeit
• Zusammengebrachte Fototransistor-Reihe: TEMT1000
• Vielseitige Terminalkonfigurationen
• Bleifreie Komponente

Beschreibung
Reihen TSML1000 sind infrarotemittierende Dioden der hohen Leistungsfähigkeit in GaAlAs auf GaAs-Technologie, die in klarem SMD-Paket geformt wird.

Diese Technologie stellt beste Leistung für leuchtende Energie unter Impulsbedingungen, Vorwärtsspannung und Zuverlässigkeit dar

Typische Eigenschaften (Tamb = °C 25 wenn nicht anders angegeben)


BESTANDSLISTE

DLW21HN900SQ2L 7950 MURATA 16+ SMD
FAN5331SX 1950 FSC 15+ SOT23-5
AD5160BRJZ50-RL7 2450 ANZEIGE 15+ SOT23-8
DTC114ESA 3450 ROHM 16+ TO-92S
HT7130-1 2460 HOLTEK 13+ SOT-89
ATMEGA16-16AU 2500 ATMEL 15+ QFP-44
74HCT04D 7500 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
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DS9034PCX 4350 DALLAS 16+ PWB
DAC08Q 1825 ANZEIGE 15+ DIP-16
CY8C27543-24AXI 2500 ZYPRESSE 16+ QFP44
AOZ1031AI 1600 AOS 15+ SOP-8
ATMEGA8515-16AU 2500 ATMEL 15+ QFP-44
74LVC373APW 7500 15+ TSSOP
INA114BU 1780 TI 16+ SOP-16
BZV55-C36 9000 15+ LL34
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