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Einzelne Hochgeschwindigkeitssich wiederholende Höchstsperrspannung der Schaltdiode 100 V der hohen Leistung PMBD914,235

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Diode 100 V 215 mA Oberflächenmontage TO-236AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Sich wiederholende Höchstsperrspannung:
100 V
Sperrspannung:
100 V
Vorwärtsstrom:
215 MA
Gesamtleistungsableitung Tamb-≤ 25 °C:
250mW
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
150 Grad
Lagertemperatur:
−65 zu °C +150
Höhepunkt:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Einleitung

Einzelne Hochgeschwindigkeitssich wiederholende Höchstsperrspannung der Schaltdiode 100 V der hohen Leistung PMBD914

PMBD914

Einzelne Hochgeschwindigkeitsschaltdiode

Allgemeine Beschreibung

Einzelne Hochgeschwindigkeitsschaltdiode, fabriziert in der Planartechnik und in einem kleinen Oberfläche-angebrachten Plastikpaket des Gerätes eingekapselt SOT23 (TO-236AB) (SMD).

Eigenschaften

Hohe Schaltverzögerung: trr ≤ 4 ns

■Niedrige Kapazitanz: CD ≤ 1,5 PF

■Niedriger Durchsickernstrom

■Sperrspannung: VR-≤ 100 V

■Sich wiederholende Höchstsperrspannung: VRRM-≤ 100 V

■Kleines SMD-Plastikpaket

Anwendungen

Hochgeschwindigkeitsschaltung

Schnellnachweisdaten

Symbol Parameter Bedingungen Minute Art Maximal Einheit
WENN vorwärts gegenwärtig [1] - - 215 MA
VR Sperrspannung - - 100 V
trr Rückgenesungszeit [2] - - 4 ns

[1] Gerät angebracht an einer Leiterplatte FR4 (PWB), an einseitigem kupfernem, verzinntem und Standardabdruck.

[2] wenn Sie von WENN = 10 MA zu IR = 10 MA geschaltet werden; RL = Ω 100; gemessen an IR = 1 MA.

Grenzwerte

In Übereinstimmung mit dem absoluten Maximalleistungs-System (Iec 60134).

Symbol Parameter Bedingungen Minute Maximal Einheit
VRRM sich wiederholende Höchstsperrspannung - 100 V
VR Sperrspannung - 100 V
WENN vorwärts gegenwärtig [1] - 215 MA
IFRM sich wiederholende Spitze vorwärts gegenwärtig - 500 MA

IFSM

nichtfortlaufende Spitze vorwärts gegenwärtig

Rechteckwelle [2]
TP = µs 1 - 4
TP = 1 Frau - 1
TP = 1 s - 0,5
Ptot Gesamtleistungsableitung Tamb-≤ 25 °C [1] [3] - 250 mW
Tj Grenzschichttemperatur - 150 °C
Tstg Lagertemperatur −65 +150 °C

[1] Gerät angebracht AN PWB FR4, an einem einseitigen kupfernen, verzinnten und Standardabdruck.

[2] Tj = °C 25 vor Anstieg.

[3] lötender Punkt der Kathode Tab.

Rückgenesungszeitteststromkreis und -wellenformen

Vorwärtswiederaufnahmespannungsteststromkreis und -wellenformen

Paketentwurf SOT23 (TO-236AB)

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