DS90LV011ATMF-/NOPBGleichrichterdiode-Elektronik IC Chip Integarted Circuts
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Ein Teil der Bestandsliste
| DIODO BAS16,215 | 1634/A6W | SOT-23 | |
| C.I MC7915CTG | AUF | RBPH30C | TO-220 |
| KAPPE 0603 47PF 50V 06035C470KAT2A | AVX | 1642 | SMD0603 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1636 | SMD0805 |
| C.I SN74HC08N | TI |
64CCGPK 64CDTHK |
DIP-14 |
| KAPPE 0805 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNC | SAMSUNG | ACAHOSH | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 68PF 100V NP0 C0805C680J1GACTU | KEMET | 1603 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | St. | 620 | TO-220 |
| MT2060F-2 | MIKROMETER | 1606-A4 | QFN48 |
| SI9978DW-T1 | VISHAY | Y342AA | SOP-24 |
| AT91SAM7X128-AU | ATMEL | 1324 | QFP-100 |
| LTC3546EUFD#PBF | LINEAR | 5B/1J | QFN28 |
| M41T82RM6F | STM | EZ025 | SOP-8 |
| NCT75DR2G | AUF | PXDJ | SOP-8 |
| FM25CL64B-G | ZYPRESSE | 1525 | SOP-8 |
| OPA2340UA | TI | 32D52 | SOP-8 |
| ADM2587EBRWZ | Fluglageanzeiger | 1641 | SOP-20 |
| LAN8710Ai-EZK | SMSC | 1239 | QFN32 |
| M30260F8AGP#U3A | RENESAS | 63803 | QFP48 |
Eigenschaft
• Passt sich an TIA/EIA-644-A Standard an
• zugeschaltete Rate >400Mbps (200MHz)
• maximale differenziale Gehrung 700 ps (100 ps typisch)
• 1,5 ns maximale Laufzeitverzögerung
• Einzelne Stromversorgung 3.3V
• differenziales Signalisieren ±350 Millivolt
• Ausschalten-Schutz (Ertrag in TRISTATE)
• Pinout vereinfacht PWB-Plan
• Ableitung der geringen Energie
• SOT-23 5-Lead Paket
• SOT-23 Version Pin Compatible mit SN65LVDS1
• Fabriziert mit moderner Verfahrenstechnik CMOS
• Industrielle Temperatur-Betriebsbereich – (−40°C bis +85°C)
Absolute Maximalleistungen
(1) Versorgungs-Spannung (VDD) −0.3V zu +4V
LVCMOS-Eingangsspannung (TTL HEREIN) −0.3V zu +3.6V
LVDS-Ausgangsspannung (OUT±) −0.3V zu +3.9V
LVDS-Ertragkurzschluß gegenwärtiges 24mA
Maximale Paket-Verlustleistung @ +25°C
DBV-Paket 902 mW setzen DBV-Paket 7,22 mW/°C über +25°C herab
Thermischer Widerstand (θJA) 138.5°C/Watt
Lagertemperatur −65°C zu +150°C
Führungs-Temperatur – lötendes +260°C (sek 4.)
Maximale Grenzschichttemperatur +150°C ESD
≥ 9kV EIAJ (0 Ω, 200 PF) Bewertungen HBMs (1,5 kΩ, 100 PF) ≥ 900V
≥ 2000V CDM (0 Ω, 0 PF) direktes (330 Ω, 150 PF) ≥ 4kV Iecs
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