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Mosfet IRFZ44NPBF-Energie MOSFET-Schaltleistung mosfet-geringer Energie

Mosfet IRFZ44NPBF-Energie MOSFET-Schaltleistung mosfet-geringer Energie
Mosfet IRFZ44NPBF-Energie MOSFET-Schaltleistung mosfet-geringer Energie
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 55 V 49 A (Tc) 94 W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V:
35 A
Pulsiert lassen Sie gegenwärtiges  ab:
160 A
Verlustleistung:
94 W
Linearer herabsetzender Faktor:
0,63 W/°C
Tor-zu-Quellspannung:
± 20 V
Höhepunkt:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Einleitung

Bestandsliste

UPC1688G 3000 NEC 16+ SOT-143
VIPER32 3000 St. 16+ DIP-8
VN0300M 3000 VISHAY 16+ TO-92
VP0808 3000 VISHAY 14+ TO-92
ZX5T853G 3000 ZETEX 16+ SOT223
HEF4024BT 3001 PHILPS 16+ SO-14
L6565N 3002 St. 15+ BAD
MCP1700T-3002E/TT 3002 MIKROCHIP 16+ SOT-23
MCP1701AT-1802I/CB 3003 MIKROCHIP 15+ SOT23-3
IRAMX20UP60A 3004 IR 12+ Na
74LVC1G384GW 3005 16+ SOT-353
TIP102 3008 St. 12+ TO-220
TPS3825-33DBVT 3008 TI 16+ SOT-153
H20R1202 3033 16+ TO-247
IRF7504TR 3050 IR 16+ MSOP-8
A7800 3100 AVAGO 16+ SOP-8
H21A1 3100 FAIRCHILD 16+ DIP-4
IRFB52N15D 3100 IR 14+ TO-220
RTD2660-GR 3100 REALTEK 16+ QFP128
SN75C23243DGGR 3100 TI 16+ TSSOP-48P
GT60N321 3114 TOSHIBA 15+ ZU - 3PL
BTS426L1 3120 16+ TO-263
CM1213-08 3121 CMD 15+ MSOP10
2N1893 3200 MOT 12+ TO-39
2SK386 3200 TOSHIBA 16+ TO-220F
74HC377PW 3200 12+ TSSOP
ADM706SARZ 3200 ANZEIGE 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
ADP3338-1.8 3200 ANZEIGE 16+ SOT223
BF513 3200 16+ SOT-23
BS801 3200 HOLTEK 16+ SOT23-6
CY7C68013A-128AXI 3200 ZYPRESSE 16+ LQFP
DS2431P 3200 MAXIME 14+ TSOC-6
FEP16DTA 3200 FSC 16+ TO-220
L78M06CDT-TR 3200 St. 16+ TO-252

IRFZ44N

Mosfet Energie MOSFET-Schaltleistung mosfet-geringer Energie

►Moderne Verfahrenstechnik

►Ultra niedriger Auf-Widerstand

►Dynamische dv-/dtbewertung

►175°C Betriebstemperatur

►Schnelle Schaltung

►Völlig Lawine veranschlagt

Beschreibung

Moderne HEXFET®-Energie MOSFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.

Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei

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