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1N4004 Gleichrichterdiode, universelle Zenerdiode der Gleichrichter 18v

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Diode 400 V 1A Durchgangsloch DO-41/DO-204AC
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Sich wiederholende HöchstSperrspannung:
400 V
Maximale Effektivwert-Spannung:
280 V
DC-Sperrspannung:
400 V
Maximale Vorwärtsspannung @ 1,0 A:
1,1 V
Maximaler volle Lasts-Rückstrom:
µA 30
Typische Kreuzungs-Kapazitanz:
15 pF
Höhepunkt:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Einleitung

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
G30N60A4 1300 FAIRCHILD 15+ TO-3P
M74HC137B1R 1300 St. 16+ BAD
MB8421-12LP 1300 FUJITSU 16+ BAD
MC33887DH 1300 FREESCAL 14+ HSOP-20
MSM6242BRS 1300 AUF 14+ DIP-18
NE22 1300 IR 14+ TO-220
OPA134PA 1300 BB 16+ DIP-8
OPA2134PA 1300 BB 16+ DIP-8
TC4560BP 1300 TOS/NEC/H 13+ BAD
74HCT688N 1320 PHI 15+ BAD
DM9161AEP 1320 DAVICOM 16+ QFP
M430F149IPM 1320 TI 16+ QFP64
SN74HC645N 1320 TI 14+ DIP20
BTA26-800B 1325 St. 14+ TO-3P
LT3508EFE 1350 LINEAR 14+ TSSOP16
UM3750A 1351 UMC 16+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
MC34051D 1388 AUF 16+ SOP16
FQP5N50C 1400 FAIRCHILD 13+ TO-220
IRFD420 1400 IR 15+ DIP-4
MAX1693EUB+ 1400 MAXIME 16+ MSOP10
TLP3063F 1400 TOSHIBA 16+ BAD
MBRF10100CT 1420 SSG 14+ TO-220
VN920B 1422 St. 14+ SMD
74HCT4538N 1431 14+ BAD
H5DU2562 1450 HYNIX 16+ TSOP
CY8C26643-24AXI 1455 SCHREI 16+ QFP
AO4710 1458 AOS 13+ SOP8
LH5116NA-10 1472 SCHARFES 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
PAL007E 1480 PIONIER 16+ ZIP-25
UCC27424DR 1491 TI 16+ SOP-8

1N4001 - 1N4007

1,0 Ampere-universelle Gleichrichter

Eigenschaften

• Niedriger Vorwärtsspannungsabfall.

• Hohe Überspannungsfähigkeit.

Absolute Maximalleistungen * TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt

Symbol Parameter Wert Einheiten
IO

Durchschnittlicher Richtstrom.

375" Führungslänge @ TA = 75°C

1,0
wenn (Anstieg)

Höchstvorwärtsüberspannung

einzelne Halb-Sinuswelle mit 8,3 Frauen

Gelegt auf bewerteter Last (JEDEC-Methode)

30
PD

Gesamtgerät-Ableitung

Setzen Sie über 25°C herab

2,5

20

W

mW/°C

RθJA Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem 50 °C/W
Tstg Lagertemperaturbereich -55 bis +175 °C
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur -55 bis +150 °C

*These Bewertungen sind Grenzwerte, über denen die Brauchbarkeit möglicherweise jedes möglichen Halbleiterbauelements gehindert wird.

Typische Eigenschaften

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