1N4004 Gleichrichterdiode, universelle Zenerdiode der Gleichrichter 18v
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
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| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| G30N60A4 | 1300 | FAIRCHILD | 15+ | TO-3P |
| M74HC137B1R | 1300 | St. | 16+ | BAD |
| MB8421-12LP | 1300 | FUJITSU | 16+ | BAD |
| MC33887DH | 1300 | FREESCAL | 14+ | HSOP-20 |
| MSM6242BRS | 1300 | AUF | 14+ | DIP-18 |
| NE22 | 1300 | IR | 14+ | TO-220 |
| OPA134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| OPA2134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| TC4560BP | 1300 | TOS/NEC/H | 13+ | BAD |
| 74HCT688N | 1320 | PHI | 15+ | BAD |
| DM9161AEP | 1320 | DAVICOM | 16+ | QFP |
| M430F149IPM | 1320 | TI | 16+ | QFP64 |
| SN74HC645N | 1320 | TI | 14+ | DIP20 |
| BTA26-800B | 1325 | St. | 14+ | TO-3P |
| LT3508EFE | 1350 | LINEAR | 14+ | TSSOP16 |
| UM3750A | 1351 | UMC | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MC34051D | 1388 | AUF | 16+ | SOP16 |
| FQP5N50C | 1400 | FAIRCHILD | 13+ | TO-220 |
| IRFD420 | 1400 | IR | 15+ | DIP-4 |
| MAX1693EUB+ | 1400 | MAXIME | 16+ | MSOP10 |
| TLP3063F | 1400 | TOSHIBA | 16+ | BAD |
| MBRF10100CT | 1420 | SSG | 14+ | TO-220 |
| VN920B | 1422 | St. | 14+ | SMD |
| 74HCT4538N | 1431 | 14+ | BAD | |
| H5DU2562 | 1450 | HYNIX | 16+ | TSOP |
| CY8C26643-24AXI | 1455 | SCHREI | 16+ | QFP |
| AO4710 | 1458 | AOS | 13+ | SOP8 |
| LH5116NA-10 | 1472 | SCHARFES | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PAL007E | 1480 | PIONIER | 16+ | ZIP-25 |
| UCC27424DR | 1491 | TI | 16+ | SOP-8 |
1N4001 - 1N4007
1,0 Ampere-universelle Gleichrichter
Eigenschaften
• Niedriger Vorwärtsspannungsabfall.
• Hohe Überspannungsfähigkeit.
Absolute Maximalleistungen * TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | Wert | Einheiten |
| IO |
Durchschnittlicher Richtstrom. 375" Führungslänge @ TA = 75°C |
1,0 | |
| wenn (Anstieg) |
Höchstvorwärtsüberspannung einzelne Halb-Sinuswelle mit 8,3 Frauen Gelegt auf bewerteter Last (JEDEC-Methode) |
30 | |
| PD |
Gesamtgerät-Ableitung Setzen Sie über 25°C herab |
2,5 20 |
W mW/°C |
| RθJA | Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem | 50 | °C/W |
| Tstg | Lagertemperaturbereich | -55 bis +175 | °C |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur | -55 bis +150 | °C |
*These Bewertungen sind Grenzwerte, über denen die Brauchbarkeit möglicherweise jedes möglichen Halbleiterbauelements gehindert wird.
Typische Eigenschaften

