TRANSISTOR-Chip IC-Elektronik Electrnocs Diode IPD60R380C6 Recitifier Teil
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
TRANSISTOR-Chip IC-Elektronik Electrnocs Diode IPD60R380C6 Recitifier Teil
Mosfet-Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistor
EIGENSCHAFTEN
• Extrem - niedrige Verluste wegen niedrigen FOM Rdson*Qg und Eoss
• Sehr hohe Umwandlungsrauhheit • Bedienungsfreundlich/Antrieb
• JEDEC1) qualifizierte, Pb-freier Überzug, Halogen free2)
Beschreibungen
des Abflussstift 2 Quellstift3 600V CoolMOS™ C6 Leistungstransistor IPD60R380C6, IPI60R380C6 IPB60R380C6, Blatt 2 IPP60R380C6 IPA60R380C6 FinalData Rev. 2,0, 2009-08-27 Tordes stift 1
1 Beschreibung CoolMOS™ ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungsenergie MOSFETs, entworfen entsprechend dem superjunction (SJ) Prinzip und durch Technologien vorangegangen.
Reihe CoolMOS™ C6 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die resultierenden Geräte allen Nutzen eines schnellen Schaltung SJ MOSFET beim Opfern von Benutzerfreundlichkeit nicht zur Verfügung stellen.
Extrem - niedrige Schaltungs- und Leitungsverluste machen zugeschaltete Anwendungen sogar leistungsfähig, kompakter, Feuerzeug und Kühlvorrichtung.
Anwendungen
PFC-Stadien, stark zugeschaltete PWM-Stadien und Resonanzstadien der schaltung PWM für z.B. PC Silverbox, Adapter, LCD-u. PDP Fernsehen, Beleuchtung, Server, Telekommunikation, UPS und Solar.
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (1)
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VDS @ Tj, maximale 650 V RDS (an), maximales 0,38 Qg, Art 32 nC Identifikation, Impuls 30 A ΜJ 400V 2,8 Eoss @ Körperdiode di/dt 500 A/µs |
| TRANSPORT BC847BLT1 | 18000 | AUF | CHINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO DF06S | 3000 | SEPT | CHINA |
| KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPAN |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODEN | MALAYSIA |
| INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPAN |
| Res 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| Res 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALAYSIA |
| Res 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| MUNITION DIODO UF4007 | 500000 | MIC | CHINA |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| Res 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
| TRANSPORT MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODEN | MALAYSIA |
| TRANSPORT STGW20NC60VD | 1000 | St. | MALAYSIA |
| C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | THAILAND |
| C.I MC33298DW | 1000 | MOT | MALAYSIA |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALAYSIA |
| C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPAN |
| C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPAN |
| C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | PHILIPPINEN |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MAROKKO | |
| C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | THAILAND |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| C.I CD40106BE | 250 | TI | THAILAND |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | SCHARFES | JAPAN |
| TRANSPORT NDT452AP | 5200 | FSC | MALAYSIA |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | THAILAND |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | AUF | MALAYSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | AUF | MALAYSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
| C.I TPIC6595N | 10000 | TI | THAILAND |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALAYSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CHINA |
| C.I CD4060BM | 500 | TI | THAILAND |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALAYSIA |
| DIODO W08 | 500 | SEPT | CHINA |
| C.I SN74HC373N | 1000 | TI | PHILIPPINEN |
| FOTOSENSOR 2SS52M | 500 | Honeywell | JAPAN |
| C.I SN74HC02N | 1000 | TI | THAILAND |
| C.I CD4585BE | 250 | TI | THAILAND |
| C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MIKROMETER | MALAYSIA |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | AUF | MALAYSIA |

