GBU808 Gleichrichterdiode 8.0A PASSIVIERTER GLASBRÜCKENGLEICHRICHTER
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
GBU8005 - GBU810
PASSIVIERTER 8.0A GLASBRÜCKENGLEICHRICHTER
Eigenschaften
• Glas passiviert sterben Bau
• Hohe Fall-Durchschlagsfestigkeit von 1500VRMS
• Niedriger Rückdurchsickern-Strom
• Anstiegs-Überlastungs-Bewertung zur Spitze 200A
• Ideal für Leiterplatte-Anwendungen
• UL listete unter anerkanntem Teilindex, Aktenzeichen E94661 auf
• Bleifreies Ende, RoHS konform (Anmerkung 4)
Mechanische Daten
• Fall: GBU
• Fall-Material: Geformter Plastik. UL-Entflammbarkeits-Klassifikation, die 94V-0 veranschlagt
• Feuchtigkeits-Empfindlichkeit: Gerade 1 pro J-STD-020C
• Anschlüsse: Endzinn. Solderable pro MIL-STD-202, Methode 208
• Polarität: Markiert auf Körper
• Montage: Durch Loch für Schraube #6
• Befestigung des Drehmoments: 5,0 Zollpfund maximal
• Einrichtungs-Informationen: Sehen Sie letzte Seite
• Markierung: Datums-Code und Art Zahl
• Gewicht: 6,6 Gramm (ungefähre) Charakter
Maximalleistungen und elektrische Eigenschaften @ TA = 25℃ wenn nicht anders angegeben
Einphasiges, 60Hz-, widerstrebende oder induktivebelastung.
Für kapazitive Last setzen Sie gegenwärtiges durch 20% herab.
Eigenschaft | Symbol |
GBU 8005 |
GBU 801 |
GBU 802 |
GBU 804 |
GBU 806 |
GBU 808 |
GBU 810 |
Einheit |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Sich wiederholende HöchstSperrspannung Arbeitende Höchstsperrspannung Blockierspannung DCs |
VRRM VRWM VR |
50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Effektivwert-Sperrspannung | VR (EFFEKTIVWERT) | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Durchschnittlicher Vorwärtsrichtstrom (Anmerkung 1) @ TC = 100? ℃ |
ICH (HANDELS) | 8,0 | |||||||
Nichtfortlaufende Höchstvorwärtseinzelne halbe Sinuswelle der Überspannung 8.3ms gelegt auf bewerteter Last | IFSM | 200 | |||||||
Vorwärtsspannung (pro Element) @ WENN = 4.0A | VFM | 1,0 | V | ||||||
Höchstrückstrom @ TC = 25? ℃ an bewerteter Blockierspannung DCs @ TC = 125? ℃ |
IR |
5,0 500 |
? μA | ||||||
I 2t-BewertungfürdieFixierung(t < 8=""> | I 2t | 166 | 2s | ||||||
Typische Gesamtkapazitanz pro Element (Anmerkung 3) | CT | 130 | PF | ||||||
Typisches des inneren Wärmewiderstands (Anmerkung 1) |
R? θJC | 2,2 | ? ℃/W | ||||||
Funktionieren und Lagertemperaturbereich | Tj, TSTG | -55 bis +150 | ℃ |
Anmerkungen:
1. Einheit brachte 50 x 50 x 1.6mm am Kühlkörper des dicken Kupferblechs an.
2. Nichtfortlaufend, für t > 1.0ms und < 8="">
3. Pro Element maß an 1.0MHz und wendete Sperrspannung von DC 4.0V an.
4. RoHS-Revision 13.2.2003. Die angewendeten Glas-und der hohen Temperatur Lötmittel-Befreiungen, sehen richtungweisende Anhang-Anmerkungen 5 und 7. EU.
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
IRFP064NPBF | 13257 | IR | 15+ | TO-247 |
IRFP150NPBF | 3754 | IR | 15+ | TO-247 |
IRFP240PBF | 6364 | VISHAY | 16+ | TO-247 |
IRFP26N60L | 4590 | VISHAY | 11+ | TO-247 |
IRFP2907PBF | 3962 | IR | 15+ | TO-247 |
IRFP460APBF | 5016 | VISHAY | 15+ | TO-247 |
IRFP4668PBF | 4165 | IR | 16+ | TO-247 |
IRFP9240PBF | 2375 | VISHAY | 13+ | TO-247 |
IRFPC50APBF | 4918 | VISHAY | 06+ | TO-247 |
IRFR024NTRPBF | 10083 | IR | 12+ | TO-252 |
IRFR1018ETR | 7234 | IR | 13+ | TO-252 |
IRFR3411TR | 4797 | IR | 14+ | TO-252 |
IRFR3607TRPBF | 6094 | IR | 13+ | TO-252 |
IRFR3910TRPBF | 12197 | IR | 16+ | TO-252 |
IRFR420ATRLPBF | 9002 | VISHAY | 09+ | TO-252 |
IRFR5410TR | 26000 | IR | 16+ | TO-252 |
IRFR9014TRPBF | 12907 | IR | 08+ | TO-252 |
IRFR9120NTRPBF | 9018 | IR | 14+ | TO-252 |
IRFRC20TRLPBF | 21285 | IR | 08+ | TO-252 |
IRFS640B | 4032 | FSC | 02+ | TO-220F |
IRFS7530 | 4561 | IR | 15+ | TO-263-7 |
IRFS7734TRLPBF | 4532 | 16+ | TO-263 | |
IRFU210PBF | 15534 | VISHAY | 14+ | TO-251 |
IRFU9110PBF | 10154 | IR | 05+ | TO-251 |
IRFZ44NPBF | 13775 | IR | 15+ | TO-220 |
IRFZ44S | 21356 | IR | 10+ | TO-263 |
IRFZ46NPBF | 8150 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFZ48NPBF | 4963 | IR | 16+ | TO-220 |
IRG4BC30UD | 4673 | IR | 13+ | TO-220 |
IRG4PC50S | 9467 | IR | 13+ | TO-247 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände

DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE

IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel

Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador

MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485

SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
![]() |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
![]() |
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
![]() |
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
![]() |
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
![]() |
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
![]() |
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
![]() |
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
![]() |
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
![]() |
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|