N-Kanal-Anreicherungstyp 30V des Feld-Effekt-Transistor-AO3400A
power mosfet ic
,silicon power transistors
N-Kanal-Anreicherungstyp 30V des Feld-Effekt-Transistor-AO3400A
AO3400A N
- Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
| Allgemeine Beschreibung | Eigenschaft |
| Das AO3400A setzt moderne Grabentechnologie ein, um ausgezeichnetes RDS (AN) und niedrige Torgebühr zur Verfügung zu stellen. Dieses Gerät ist für Gebrauch als Lastsschalter oder in PWM-Anwendungen passend. Standardprodukt AO3400A ist Pb-frei (Treffen ROHS u. Sony 259 Spezifikationen). |
VDS (V) = 30V Identifikation = 5.7A (VGS = 10V) RDS (AN) < 26=""> RDS (AN) < 32m=""> RDS (AN) < 48m=""> |
Thermische Eigenschaften
| Parameter | Symbol | Art | Maximal | Einheit | |
| Maximales Kreuzung-zu-umgebendes A | t-≤ 10s | RθJA |
70 |
90 | °C/W |
| Maximales Kreuzung-zu-umgebendes A | Dauerzustand | 100 | 125 | °C/W | |
| Maximale Kreuzung-zu-Führung C | Dauerzustand | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
: Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät anbrachte an 1in Brett 2 FR-4 mit 2oz gemessen. Kupfer, in einer ruhigen Luftumwelt mit T A=25°C. Der Wert in jeder möglicher gegebenen Anwendung häCM GROUP vom spezifischen Leiterplattenentwurf des Benutzers ab.
B: Sich wiederholende Bewertung, Impulsbreite begrenzt durch Grenzschichttemperatur TJ (max) =150°C.
C. Das RθJA ist die Summe des thermischen Widerstands von der Kreuzung, zum von r-θJL zu führen und zu umgebendes zu führen.
D. Die statischen Eigenschaften in Tabellen 1 bis 6 werden unter Verwendung erreicht <300 us="" pulses="">
E. Diese Tests werden mit dem Gerät anbrachten an 1 in Brett 2 FR-4 mit 2oz durchgeführt. Kupfer, in einer ruhigen Luftumwelt mit T A=25°C. Die SOA-Kurve liefert eine Einzelimpulsbewertung.
F: Die gegenwärtige Bewertung basiert auf der t-≤ 10s Bewertung thermischen Widerstands. Rev0: Im April 2007
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