Linearer Energie Mosfet-Transistor 2N5458 JFETs führte Fernsehen-IC-Chips
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Linearer Energie Mosfet-Transistor 2N5458 JFETs führte Fernsehen-IC-Chips
JFETs-− universelle N−Channel-− Entleerung
N−Channel-Kreuzungs-Feld-Effekt-Transistoren, Abgangsart (Art A) bestimmt für die Audio- und zugeschalteten Anwendungen.
Eigenschaften
• N−Channel für höheren Gewinn
• Abfluss und Quelle austauschbar
• Hohe Wechselstrom-Eingangsimpedanz
• Hoher DC-Eingangswiderstand
• Niedrige Übertragung und eingegebene Kapazitanz
• Niedrige Verzerrung Cross−Modulation und der Intermodulation
• Eingekapseltes Plastikpaket Unibloc • Pb−Free-Pakete sind Available*
Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
Drain−Source-Spannung | VDS | 25 | VDC |
Drain−Gate-Spannung | VDG | 25 | VDC |
Rück-Gate−Source-Spannung | VGSR | −25 | VDC |
Tor-Strom | IG | 10 | mAdc |
Gesamtgerät-Ableitung @ TA = 25°C setzen über 25°C herab | PD | 310 2,82 | mW mW/°C |
Funktionierende Grenzschichttemperatur | TJ | 135 | °C |
Lagertemperaturbereich | Tstg | −65 bis +150 | °C |
Die Drücke, die Maximalleistungen übersteigen, schädigen möglicherweise das Gerät. Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen. Funktionsoperation über den empfohlenen Betriebsbedingungen wird nicht bedeutet. Verlängerte Aussetzung zu den Drücken über den empfohlenen Betriebsbedingungen beeinflußt möglicherweise Gerätzuverlässigkeit
EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
Gerät-Paket-Verschiffen
Einheiten 2N5457 TO−92 1000/Kasten
Einheiten 2N5458 TO−92 1000/Kasten
2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 Einheiten/Kasten

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