Universeller Verstärker Energie Mosfet-Transistor-KSP2907 ATA Equivalent PNP
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 600 MA 200MHz 625 mW durch Loch TO-92-3
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Features2:
• Kollektor-Verlustleistung: PC (maximales) =625mW
Eigenschaften:
• Kollektor-Emitter-Spannung: VCEO= 60V
Features3:
• Suffix „- C“ bedeutet einen Mittelkollektor (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4:
• Nicht Suffix „- C“ bedeutet einen Seitenkollektor (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5:
• Verfügbar als PN2907A
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Universeller gleichwertiger PNP Verstärker Energie Mosfet-Transistor-KSP2907A
Eigenschaften
• Kollektor-Emitter-Spannung: VCEO= 60V
• Kollektor-Verlustleistung: PC (maximales) =625mW
• Suffix „- C“ bedeutet einen Mittelkollektor (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
• Nicht Suffix „- C“ bedeutet einen Seitenkollektor (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
• Verfügbar als PN2907A
Absolute Maximalleistungen * Ta = 25°C wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | Wert | Einheiten |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | -60 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | -60 | V |
| VEBO | Emitter-Basis-Spannung | -5 | V |
| IC | Kollektorstrom | -600 | MA |
| TJ | Grenzschichttemperatur | +150 | °C |
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