Kanal-Anreicherungstyp BSP315 SIPMOS Signal-Energie Mosfet-Transistor-P
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Oberflächenberg SOT-223 des P-Kanal-50 V 1A 1.8W
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Hauptlinie:
IC, Modul, Transistor, Dioden, Kondensator, Widerstand usw.
Eigenschaften:
P-Kanal
Features2:
Anreicherungstyp
Features3:
• Logischer Zustand
Features4:
VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
Paket:
SOT-23
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
Kanal-Anreicherungstyp BSP315 SIPMOS Signal-Energie Mosfet-Transistor-P
• P-Kanal
• Anreicherungstyp
• Logischer Zustand
• VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V (BR) DSS = ƒ (Tj)
Impulswärmewiderstand Zth JA = ƒ (TP) Parameter: D = TP/T
Maximalleistungen
| Parameter | Symbol | Werte | Einheit |
| Lassen Sie Quellspannung ab | VDS | -50 | V |
|
Abfluss-Torspannung RGS = kΩ 20 |
VDGR | -50 | |
| Gate-Source-Spannung | VGS | ± 20 | |
|
Ununterbrochener Abflussstrom TA = °C 39 |
Identifikation | -1,1 | |
|
DC-Abfluss gegenwärtig, pulsiert TA = °C 25 |
IDpuls | -4,4 | |
|
Verlustleistung TA = °C 25 |
Ptot | 1,8 | W |
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