Ergänzende Thyristor-TRIAC-empfindliches Tor Energie Mosfet-Transistor-BT136-600E
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Ergänzende Thyristor-TRIAC-empfindliches Tor Energie Mosfet-Transistor-BT136-600E
Eigenschaften
·Mit TO-220AB Paket
·Glas passivierte, empfindliche Tor-TRIAC in einem Plastikumschlag, bestimmt für Gebrauch in den universellen bidirektionalen Schaltungs- und Phasensteueranwendungen, in denen hohe Empfindlichkeit in allen vier Quadranten angefordert wird.
SCHNELLNACHWEIS-DATEN
| SYMBOL | PARAMETER | WERT | EINHEIT |
| VDRM | Periodische Spitzensperrspannung | 600 | V |
| VRRM | Periodische Spitzensperrspannung | 600 | V |
| IT (HANDELS) | Durchschnittlicher Durchlassstrom | 4 | |
| ITSM | Nichtfortlaufender Höchstdurchlassstrom | 25 | |
| Tstg | Lagertemperatur | -45~150 |
STIFTBELEGUNG SYMBOL
Empfindliches Tor der Reihe E der TRIAC BT136
MECHANISCHE DATEN

