AO3400A-Energie Mosfet-Transistor-N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Berg SOT-23-3 des N-Kanal-30 V 5.7A (Ta) der Oberflächen-1.4W (Ta)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Payapl
Spezifikationen
Abfluss-Quellspannung:
30 V
Tor-Quellspannung:
±12 V
Pulsierter Abfluss gegenwärtiges B:
25 A
Ununterbrochener Abfluss:
TA=25°C
Kreuzung und Lagertemperaturbereich:
-55 zu 150°C
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
AO3400A
N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
Allgemeine Beschreibung
Das AO3400A setzt moderne Grabentechnologie ein, um ausgezeichnetes RDS (AN) und niedrige Torgebühr zur Verfügung zu stellen. Dieses Gerät ist für Gebrauch als Lastsschalter oder in PWM-Anwendungen passend. Standardprodukt AO3400A ist Pb-frei (Treffen ROHS u. Sony 259 Spezifikationen).
Eigenschaften
VDS (V) = 30V
Identifikation = 5.7A (VGS = 10V)
RDS (AN) < 26="">
RDS (AN) < 32m="">
RDS (AN) < 48m="">
| Thermische Eigenschaften | |||||
| Parameter | Symbol | Art | Maximal | Einheiten | |
| Maximales Kreuzung-zu-umgebendes A | t-≤ 10s | RθJA | 70 | 90 | °C/W |
| Maximales Kreuzung-zu-umgebendes A | Dauerzustand | 100 | 125 | °C/W | |
| Maximale Kreuzung-zu-Führung C | Dauerzustand | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
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