Mosfet-Transistor-schnelle Schaltung Energie der dritten Generation HEXFET IRFBC40PBF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Energie MOSFET
EIGENSCHAFTEN
• Dynamische dV-/dtbewertung
• Sich wiederholende Lawine veranschlagt
• Schnelle Schaltung
• Leichtigkeit des Vergleichs
• Einfache Antriebs-Anforderungen
• Es-frei verfügbares der Führungs-(Pb)
BESCHREIBUNG
MOSFETs Energie der dritten Generation von Vishay versehen den Designer mit der besten Kombination der schnellen Schaltung, des ruggedized Gerätentwurfs, des niedrigen Aufwiderstands und der Wirtschaftlichkeit.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus bis ungefähr 50 W. bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei
| EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN | |
| Paket | TO-220 |
| Führung (Pb) -frei |
IRFBC40PbF SiHFBC40-E3 |
| SnPb |
IRFBC40 SiHFBC40 |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC