HEXFET-Energie Mosfet-Transistor, Energie mosfet-Modul IRF7329TRPBF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
HEXFET-Energie Mosfet-Transistor, Energie mosfet-Modul IRF7329
? Graben-Technologie?
Ultra niedriger Auf-Widerstand
? Doppelp-kanal MOSFET
?
Zurückhaltung (<1>
Verfügbar im Band u. in der Spule?
Bleifrei
Beschreibung
Neue MOSFETs Energie des P-Kanals HEXFET® vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit dem ruggedized Gerätentwurf, den HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen. Das SO-8 ist durch ein kundengebundenes leadframe für erhöhte thermischen Eigenschaften und die Mehrfachwürfelfähigkeit geändert worden, die es ideal in einer Vielzahl von Energieanwendungen macht. Mit diesen Verbesserungen können mehrfache Geräte in einer Anwendung mit drastisch verringertem Brettraum benutzt werden. Das Paket ist für Dampfphase, Infrarot oder lötende Technik der Welle bestimmt
| Parameter | Maximum. | Einheiten | |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | -12 | V |
| Identifikation @ TA = 25°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -4.5V | -9,2 | |
| Identifikation @ TA= 70°C | Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -4.5V -7,4 | -7,4 | |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom? | -37 | |
| PD @TA = 25°C | Verlustleistung? | 2,0 | W |
| PD @TA = 70°C | Verlustleistung? | 1,3 | |
| Linearer herabsetzender Faktor | 16 | mW/°C | |
| VGS | Tor-zu-Quellspannung | ± 8,0 | V |
| TJ, TSTG | Kreuzung und Lagertemperaturbereich | -55 bis + 150 | °C |
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